2.3陶瓷底板倒裝法：
 
 先利用LED晶片廠通用設(shè)備制備出具有適合共晶焊接電極結(jié)構(gòu)的大出光面積的LED芯片和相應(yīng)的陶瓷底板，并在上制作出共晶焊接導(dǎo)電層及引出導(dǎo)電層。之后利用共晶焊接設(shè)備將大尺寸LED芯片與陶瓷底板焊接在一起。（這樣的結(jié)構(gòu)考慮了出光問題也考慮到了散熱問題，并且采用的陶瓷底板為高導(dǎo)熱陶瓷板，散熱的效果非常理想，價(jià)格又相對(duì)較低所以為目前較為適宜的底板材料，并可為將來的集成電路化一體封裝伺服電路預(yù)留下了安裝空間）
 
 2.4藍(lán)寶石襯底過渡法：
 
 按照傳統(tǒng)的InGaN芯片制造方法在藍(lán)寶石襯底上生長出PN結(jié)后將藍(lán)寶石襯底切除再連接上傳統(tǒng)的四元材料，制造出上下電極結(jié)構(gòu)的大尺寸藍(lán)光LED芯片。
2.5AlGaInN/碳化硅（SiC）背面出光法：
 
 美國Cree公司是采用SiC襯底制造AlGaInN超高亮度LED的全球唯一廠家，幾年來AlGaInN/SiCa芯片結(jié)構(gòu)不斷改進(jìn)，亮度不斷提高。由于P型和N型電極分別僅次于芯片的底部和頂部，單引線鍵合，兼容性較好，使用方便，因而成為AlGaInN LED發(fā)展的另一主流。
 
 三、基礎(chǔ)封裝結(jié)構(gòu)
 
 大功率LED封裝中主要需考慮的問題有兩個(gè)：散熱與出光。
 序號(hào) 材質(zhì) 導(dǎo)熱系數(shù)/λW（m.K）
 01 碳鋼（C＝0.5-1.5） 39.2-36.7
 02 鎳鋼（Ni=1%-50%） 45.5-19.6
 03 黃銅 (70Cu-30Zn) 109
 04 鋁合金(60Cu-40Ni) 22.2
 05 鋁合金(87Al-13Si) 162
 06 鋁青銅(90Cu-10Al) 56
 07 鎂 156
 08 鉬 138
 序號(hào) 材質(zhì) 導(dǎo)熱系數(shù)/λW（m.K）
 09 鉑 71.4
 10 銀 427
 11 錫 67
 12 鋅 121
 13 純銅　 398
 14 黃金 315
 15 純鋁 236
 16 純鐵 81.1
 17 玻璃 0.65-0.71