半導體飛速發(fā)展的今天，時刻沒有冷落在電磁輻射方面的研究與發(fā)展，有一種器件輻射的電磁波正好被人類眼睛所能觀察，在光需要的領域都有長足的發(fā)展，出色的表現讓我們沒有理由拒絕，那就是新半導體固體器件—— LED（Light Emitting Diode 發(fā)光二極管)。被稱之為新一次照明革命的LED 固體光源開發(fā)應用已成為本世紀重點發(fā)展的目標之一。特別是由科技部、國家發(fā)展和改革委員會與信息產業(yè)部等有關部門共同組織實施的“國家半導體照明工程”的正式啟動，標志著中國高亮度LED 產業(yè)已進入加速發(fā)展階段，標志著中國LED 產業(yè)遇到了難得的發(fā)展機遇。LED 是一種固體光源，當它兩端加上正向電壓，半導體中的少數載流子和多數載流子發(fā)生復合，放出的過剩能量將引起光子發(fā)射。采用不同的材料，可制成不同顏色有發(fā)光二極管。作為一種新的光源，近年來各大公司和研究機構對LED 的研究方興未艾，使其光效得以大大提高，Lumiled公司目前已研發(fā)并生產出光效達到90Lm/W 的白色L E D ，已達到白熾燈的水平。
隨著對LED 研究的進一步深入，其光效將進一步得到提高，而其成本將進一步下降，在不久的將來LED 取代白熾燈甚至熒光燈而發(fā)展成21世紀的一種主要的照明光源將成為一種趨勢。與熒光燈的電子鎮(zhèn)流器不同，LED 驅動電路的主要功能是將交流電壓轉換為恒流電源，并同時完成與LED 的電壓和電流的匹配。
 
LED 伏安特性的數字模型可用下式表示。VF=Vturn-on+RsIF+（Δ VF/ ΔT ）（T - 2 5 ℃） （1 ）其中，Vturn-on 是LED 的啟動電壓Rs 表示伏安曲線的斜率T 環(huán)境溫度Δ VF/ Δ T 是LED 正向電壓的溫度系數，對于多數L E D 而言典型值為- 2 V /℃ 。
 
從L E D 的伏安曲線及數字模型看，LED 在正向導通后其正向電壓的細小變動將引起LED 電流的很大變化，并且，環(huán)境溫度，LED 老化時間等因素也將改變影響LED 的電氣性能。而LED 的光輸出直接與LED 電流相關，所以LED 驅動電路在輸入電壓和環(huán)境溫度等因素發(fā)生變動的情況下最好能控制LED 電流的大小。否則，LED 的光輸出將隨輸入電壓和溫度等因素變化而變化，并且，若LED 電流失控，LED 長期工作在大電流下將影響LED的可靠性和壽命，并有可能失效。
 
1.LED 驅動電源的使用現狀
 
標準電燈正在經歷一場革命。出于保護能源和應對全球氣候變暖的考慮，美國一些州和其它一些國家開始禁止使用低能效的白熾燈泡。各種新技術正紛紛被用于替換白熾燈泡，其中緊湊型真空熒光燈(CFL)是主要替代方案。盡管這種CFL 燈的功耗僅為白熾燈的20%，但卻含有有毒物質汞。相比之下，L E D 燈可以提供更高效和更環(huán)保的解決方案。
 
LED 最初的商業(yè)應用出現在上世紀七十年代，但因其光輸出極低，應用范圍也僅限于指示燈和計算器顯示屏等領域。如今，能夠產生白光的高功率LED 在效率方面不斷得以提升，價格也在逐年下降，因此它已成為主流照明應用值得考慮的選擇之一。預計隨著LED 技術的發(fā)展，到2012年其發(fā)光效率將達到150 流明/ 瓦，1000流明的成本將不足5 美元( 資料來源：OIDA)，屆時LED 有望成為室內照明的主要來源。
 
2008年的北京奧運會通過眾多具體的產品形態(tài)和新技術的應用為綠色奧運、科技奧運、人文奧運等理念做了完美詮釋。LED 顯示產品，在2008 年北京奧運會的廣泛應用，更是光芒閃爍，為2008 北京奧運會增添了絢爛異彩。
 
近幾屆奧運會中，LED 顯示幕都是奧運比賽場館不可或缺的主要設施。2008年北京奧運會新建和改建的體育場館數量眾多，規(guī)�？涨�，奧運場館均采用了大量LED 顯示幕作為比賽實況播放和計分顯示的設備，顯示幕產品以全彩色、高解析度、數位化等為主�？梢哉f，2008 年北京奧運會所采用的LED 顯示產品從數量到技術水準以及應用方面都達到了一個新的里程碑，這其中眾多國內LED 顯示產品制造企業(yè)擔當了重要的角色。
 
通過全球LED 技術領導廠商對材料、工藝和封裝技術的努力改進，高亮度LED的發(fā)光效率和性能得到了顯著提升，除了傳統的背光和顯示面板市場外，高亮度LED 開始走向室內外普通照明、汽車內外照明、探照燈、交通燈等全新應用。這些都預示著LED 驅動電源將有一個廣闊的應用前景。