降低激光掃描儀成本的新技術(shù)
電裝開發(fā)出了在硅底板上一體形成微小棱鏡和透鏡等光學(xué)元件陣列的技術(shù),并在“MEMS2007”上作了發(fā)表(發(fā)表序號:M9)。該技術(shù)可以利用DRIE(Deep Reactive Ion Etching,深反應(yīng)離子刻蝕)工藝,形成數(shù)百μm見方的 ..
電裝開發(fā)出了在硅底板上一體形成微小棱鏡和透鏡等光學(xué)元件陣列的技術(shù),并在“MEMS2007”上作了發(fā)表(發(fā)表序號:M9)。該技術(shù)可以利用DRIE(Deep Reactive Ion Etching,深反應(yīng)離子刻蝕)工藝,形成數(shù)百μm見方的微小光學(xué)元件陣列。該公司雖然沒有公布技術(shù)的具體用途,但是因?yàn)榫哂锌刂萍す夥较虻墓δ,估?jì)可用于車載領(lǐng)域的障礙物檢測。
該技術(shù)能夠利用現(xiàn)有工藝,把底板上的硅部分氧化成玻璃(二氧化硅),將玻璃用作光學(xué)元件。因?yàn)楣柁D(zhuǎn)化成二氧化硅后體積會(huì)膨脹到原來的2.22倍,所以事先需要利用DRIE工藝在硅元件上刻出溝槽(參照圖片)。在熱氧化工序中,從溝槽開始,整體被逐步氧化成玻璃。這時(shí),溝槽會(huì)因?yàn)榕蛎洷惶顫M,能形成棱鏡和透鏡等光學(xué)元件。溝槽原來的位置不會(huì)產(chǎn)生光折射等不良光學(xué)影響。為了降低光學(xué)元件表面的粗糙度,在熱氧化工序前需要進(jìn)行1150℃的高溫氫氣退火。 此次的技術(shù)能夠在硅底板上形成并排著的一體化的棱鏡陣列和透鏡陣列,透鏡陣列附近的激光光源陣列在后期工序中安裝。為了在安裝中省去校對激光光源光軸的步驟,事先要在硅底板上形成正確安裝激光光源所需的定位裝置。今后,還有可能向硅底板上移植利用GaN底板等其他工藝制造的激光光源。 此次的元件能夠通過控制激光陣列的相位,像相位陣列天線一樣控制激光的照射方向,能在某一角度范圍對照射方向進(jìn)行掃描。將其與激光傳感器組合,可以應(yīng)用于障礙物的檢測。目前,在車載領(lǐng)域,利用激光和毫米波的障礙物檢測傳感器已經(jīng)達(dá)到了實(shí)用水平,不過大都尺寸較大且價(jià)格昂貴。如果此次的技術(shù)達(dá)到實(shí)用水平,激光掃描元件便有望實(shí)現(xiàn)大幅的小型化和低成本化。配備汽車使用時(shí),可以設(shè)置在車體保險(xiǎn)杠以外的多個(gè)部位。 |
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