以低成本實(shí)現(xiàn)三維LSI（TFT和光電二極管等多個(gè)元件縱向?qū)盈B）的方法亮相。通過(guò)半導(dǎo)體激光使中間夾有一層絕緣膜的2層硅薄膜同時(shí)結(jié)晶，這是奈良尖端科學(xué)技術(shù)研究生院大學(xué)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所及愛(ài)發(fā)科（ULVAC）合作小組的成果。  
　　使用綠色激光  
　　開(kāi)發(fā)小組在玻璃底板上形成了2層硅薄膜，硅薄膜中間夾有氧化硅，通過(guò)向上層照射半導(dǎo)體激光，上層、下層硅薄膜可同時(shí)結(jié)晶。使用波長(zhǎng)較長(zhǎng)的半導(dǎo)體綠色激光（波長(zhǎng)532nm），上層的硅層不完全吸收所照射的激光，透過(guò)的激光讓下層吸收。  
　　硅薄膜結(jié)晶一般使用的激光波長(zhǎng)較短，約為300nm以下，因此上層的硅膜吸收了大部分的光。這樣，使用準(zhǔn)分子激光法便需要從下層開(kāi)始逐次進(jìn)行層疊和結(jié)晶，工藝成本比較高。  
膜質(zhì)量與單結(jié)晶相當(dāng)，嘗試用于人工視網(wǎng)膜LSI  
　　用此次的方法完成結(jié)晶的硅薄膜，上層可形成粒徑1μm左右的多結(jié)晶，下層可形成粒徑幾十納米的微結(jié)晶。上層的載流子遷移率為550cm2/（V-1s-1），與單結(jié)晶相當(dāng)，可用于TFT的通道部分等。例如，通過(guò)在上層硅膜上嵌入TFT，在下層硅膜上嵌入光電二極管，“能夠?qū)崿F(xiàn)人工視網(wǎng)膜LSI”（奈良尖端科學(xué)技術(shù)研究生院大學(xué) 副教授浦岡行治），開(kāi)發(fā)小組計(jì)劃推進(jìn)人工視網(wǎng)膜的應(yīng)用開(kāi)發(fā)。  
　　在使用綠色激光實(shí)現(xiàn)結(jié)晶化的硅薄膜領(lǐng)域，此前沒(méi)有實(shí)現(xiàn)如此高的載流子遷移率的先例。與使用氣體的準(zhǔn)分子激光相比，使用類似綠色激光這樣的半導(dǎo)體激光具有維護(hù)成本低的優(yōu)點(diǎn)。