硅穩(wěn)壓二極管（簡(jiǎn)稱硅穩(wěn)壓管）實(shí)質(zhì)上是一個(gè)硅晶體二極管。
1、二極管的擊穿現(xiàn)象
由二極管的伏安特性可知，當(dāng)加于它兩端的反偏電壓超過(guò)反向擊穿電壓之后，二極管將發(fā)生擊穿現(xiàn)象。二極管的擊穿通常有三種情況，即雪崩擊穿、齊納擊穿和熱擊穿。
（1）雪崩擊穿
對(duì)于摻雜濃度較低的PN結(jié)，結(jié)較厚，當(dāng)外加反向電壓高到一定數(shù)值時(shí)，因外電場(chǎng)過(guò)強(qiáng)，使PN結(jié)內(nèi)少數(shù)載流子獲得很大的動(dòng)能而直接與原子碰撞，將原子電離，產(chǎn)生新的電子空穴對(duì)，由于鏈鎖反應(yīng)的結(jié)果，使少數(shù)載流子數(shù)目急劇增多，反向電流雪崩式地迅速增大，這種現(xiàn)象叫雪崩擊穿。雪崩擊穿通常發(fā)生在高反壓、低摻雜的情況下。
（2）齊納擊穿
對(duì)于采用高摻雜（即雜質(zhì)濃度很大）形成的PN結(jié)，由于結(jié)很�。ㄈ�0.04μm）即使外加電壓并不高（如4V），就可產(chǎn)生很強(qiáng)的電場(chǎng)（如）將結(jié)內(nèi)共價(jià)鍵中的價(jià)電子拉出來(lái)，產(chǎn)生大量的電子一空穴對(duì)，使反向電流劇增，這種現(xiàn)象叫齊納擊穿（因齊納研究而得名）。齊納擊穿一般發(fā)生在低反壓、高摻雜的情況下。
（3）熱擊穿
在使用二極管的過(guò)程中，如由于PN結(jié)功耗（反向電流與反向電壓之積）過(guò)大，使結(jié)溫升高，電流變大，循環(huán)反復(fù)的結(jié)果，超過(guò)PN結(jié)的允許功耗，使PN結(jié)擊穿的現(xiàn)象叫熱擊穿。熱擊穿后二極管將發(fā)生永久性損壞。
對(duì)于硅PN結(jié)，擊穿電壓在7V以上的為雪崩擊穿；4V以下的為齊納擊穿；在。4～7V之間的兩種情況都有。無(wú)論哪種擊穿，只要控制反向電流的數(shù)值不致引起熱擊穿，當(dāng)反向電壓下降到擊穿電壓以下，其性能可以恢復(fù)到未擊穿前的狀況。
2、穩(wěn)壓管的擊穿特性 穩(wěn)壓管的正向特性與一般二極管相同，而反向擊穿特性很陡峭。
3、穩(wěn)壓管的主要參數(shù)
（1） 穩(wěn)定電壓VZ
Vz穩(wěn)壓管反向擊穿后其電流為規(guī)定值時(shí)它兩端的電壓值。不同型號(hào)的穩(wěn)壓管其Vz的范圍不同；同種型號(hào)的穩(wěn)壓管也常因工藝上的差異而有一定的分散性。所以，Vz一般給出的是范圍值，例如2CW11的Vz在3.2～4.5V （測(cè)試電流為10mA）。當(dāng)然，二極管（包括穩(wěn)壓管）的正向?qū)�通特性也有穩(wěn)壓作用，但穩(wěn)定電壓只有0.6～0. 8V，且隨溫度的變化較大，故一般不常用。
（2）穩(wěn)定電流IZ
IZ是指穩(wěn)壓管正常工作時(shí)的參考電流。Iz 通常在最小穩(wěn)定電流IZmin與最大穩(wěn)定電流IZmax之間。其中IZmin 是指穩(wěn)壓管開始起穩(wěn)壓作用時(shí)的最小電流，電流低于此值時(shí)，穩(wěn)壓效果差；IZmax是指穩(wěn)壓管穩(wěn)定工作時(shí)的最大允許電流，超過(guò)此電流時(shí)，只要超過(guò)額定功耗，穩(wěn)壓管將發(fā)生永久性擊穿。故一般要求 IZmin＜ Iz ＜ IZmax 。
（3）動(dòng)態(tài)電阻rZ
rZ是指在穩(wěn)壓管正常工作的范圍內(nèi)，電壓的微變量與電流的微變量之比。rZ 越小，表明穩(wěn)壓管性能越好。
（4）額定功耗PZ
Pz是由管子溫升所決定的參數(shù)， Pz＝Vz IZmax 。
（5）溫度系數(shù)α
α是指Vz受溫度影響的程度。硅穩(wěn)壓管在VZ＜4V時(shí)α＜0；在VZ＞7V時(shí)，α＞0；在VZ = 4～7V時(shí)，α很小。