芯片應(yīng)用

針對(duì)藍(lán)光LED激發(fā)黃色熒光粉的白光LED技術(shù)方案較低的熒光轉(zhuǎn)換效率，RGB多芯片白光和單芯片無(wú)熒光粉白光成為未來(lái)白光LED的主要技術(shù)趨勢(shì)，效率較低的綠光LED則成為RGB多芯片白光的主要限制因素，未來(lái)半極性或非極性綠光LED將成為重要的發(fā)展趨勢(shì)。在解決白光LED顯色方面，可利用紫光或紫外LED激發(fā)RGB三色熒光粉，獲得高顯色白光LED技術(shù)，但必然犧牲一部分效率。目前，紫光或紫外光芯片效率已經(jīng)獲得很大進(jìn)步，日亞化學(xué)公司生產(chǎn)的365nm波長(zhǎng)紫外LED外量子效率已經(jīng)接近50%。未來(lái)紫外LED將獲得更多應(yīng)用，且無(wú)其它紫外發(fā)光體系材料代替，發(fā)展前景非常巨大。一些發(fā)達(dá)國(guó)家已紛紛投入大量人力、物力開(kāi)展UVLED的研究。而氮化物的紅光紅外光波段應(yīng)用，除了環(huán)境之外，無(wú)論是價(jià)格還是性能都難以與砷化物競(jìng)爭(zhēng)，因而前景不是很明朗。

根據(jù)以上闡述可知，圍繞半導(dǎo)體照明的上游材料及設(shè)備已經(jīng)獲得很大的發(fā)展，尤其在效率方面，藍(lán)光波段已經(jīng)接近理想效率，芯片在半導(dǎo)體照明燈具的價(jià)格比也大幅度下降，未來(lái)半導(dǎo)體照明將從光的效率向光品質(zhì)方向發(fā)展，這要求芯片材料沖破藍(lán)光領(lǐng)域，同時(shí)向長(zhǎng)波長(zhǎng)和短波長(zhǎng)方向發(fā)展，而綠光、紫光和紫外光LED芯片將是研究重點(diǎn)。