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  • 硅基光子集成的發(fā)展及其相關(guān)技術(shù)簡述

    作者:矮冬瓜 來源:長春理工光學(xué)測量 時間:2018-04-19 19:47 閱讀:48019 [投稿]
    光子集成(photonic integrated circuits,PIC) 是指將多個光器件集成在一起的技術(shù),相對于目前廣泛采用的分立元器件,在尺寸、能耗、成本、可靠性等方面擁有巨大優(yōu)勢,是未來光器件的主流發(fā)展方向。

    隨著現(xiàn)代社會信息化的發(fā)展,對于通信帶寬的需求日益增長,而在過去的半個多世紀(jì)里, 電互連在信息行業(yè)的發(fā)展起著至關(guān)重要的作用, 但隨著晶體管特征尺寸的不斷減小, 使電互連面臨著信號延遲大、傳輸帶寬小、功耗大、信號串?dāng)_大、加工困難、成本高等局限, 集成度提高的速度減慢甚至趨于停滯。光通信技術(shù)迎來了前所未有的發(fā)展機遇。光通信技術(shù)在長距離通信領(lǐng)域有絕對優(yōu)勢,但用戶端光通信器件不普及,因此提高器件集成度,降低成本成為關(guān)鍵。光器件是光通信系統(tǒng)的基礎(chǔ)與核心,最能夠代表一個國家在光通信技術(shù)領(lǐng)域的水平和能力。光子集成(photonic integrated circuits,PIC) 是指將多個光器件集成在一起的技術(shù),相對于目前廣泛采用的分立元器件,在尺寸、能耗、成本、可靠性等方面擁有巨大優(yōu)勢,是未來光器件的主流發(fā)展方向。

    近年來,隨著技術(shù)的逐漸積累以及產(chǎn)業(yè)需求的旺盛,光子集成技術(shù)迅猛發(fā)展, 其中硅基光集成技術(shù)脫穎而出,硅材料在電子集成電路中應(yīng)用廣泛,成本低廉、性能穩(wěn)定、工藝成熟,適合規(guī);a(chǎn)。在PIC 領(lǐng)域,由于硅是間隙能帶材料,禁帶寬度較大,發(fā)光效率和光電效應(yīng)很弱,目前主要應(yīng)用于無源器件,基于硅材料的探測器、調(diào)制器等有源器件近幾年也取得了一定突破。

    一、光子集成

    光子集成(Photonic Integrated Circuits簡稱:PIC)也叫光子集成電路。以介質(zhì)波導(dǎo)為中心集成光器件的光波導(dǎo)型集成回路,即將若干光器件集成在一片基片上,構(gòu)成一個整體,器件之間以半導(dǎo)體光波導(dǎo)連接,使其具有某些功能的光路。如集成外腔單穩(wěn)頻激光器,光子開關(guān)陣列,光外差接收機和光發(fā)射機等。

    現(xiàn)有PIC所采用的基底材料主要包括磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)、鈮酸鋰(LiNbO3)、硅以及二氧化硅。對于GaAs 襯底,其主要適合于生長光通信短波長(850 nm)波段器件和一些高速電子元器件;對于InP 襯底,則非常適合于制備通信用長波長(1310 nm,1550 nm)波段器件;而Si 襯底,在微電子器件方面已經(jīng)發(fā)展得相當(dāng)成熟。

    1.1光子集成的分類及比較

     根據(jù)集成的元器件數(shù)量,光子集成可分為小規(guī)模PIC、中等規(guī)模PIC 和大規(guī)模PIC, 通常指單片集成的功能元器件數(shù)量在10 個以內(nèi)、10~50 個和超過50 個。大規(guī)模PIC是未來主流的發(fā)展方向。

    光器件中分為有源光器件和無源光器件。無源器件用來進行光信號的傳輸,或者通過方向性進行“信號放大”,有源器件一般用于發(fā)射、接收、放大、變換光信號等。目前,無源PIC 一般采用硅作為材料,有源PIC 一般采用InP、GaAs 等化合物半導(dǎo)體為材料。根據(jù)集成的元器件是否采用同種材料,PIC 可以分為混合集成和單片集成。單片集成又可以分為有源PIC和無源PIC。

    1.單片集成:單片集成是經(jīng)過相同制作工藝,將不同元器件集成在同一襯底上的一體化技術(shù),實現(xiàn)起來有較大技術(shù)難度,但具有結(jié)構(gòu)緊湊、尺寸小、功耗低、可靠性強等優(yōu)勢,是PIC 的發(fā)展方向。

    1)無源PIC:全部由無源元器件組成,例如波導(dǎo)、分波/合波器、光開關(guān)、可調(diào)光衰(VOA)等。無源PIC 技術(shù)相對簡單,目前最常用的是平面波導(dǎo)(planar lightwave circuit,PLC)技術(shù),業(yè)界通常將PLC技術(shù)等同為無源PIC 技術(shù)。

    2)有源PIC:全部由有源元器件組成組成,例如有源元器件有LD、PIN 探測器、調(diào)制器、光放大器等。目前多采用InP、GaAs 等化合物半導(dǎo)體為襯底材料,通過金屬有機物氣相外延(MOCVD)或分子束外延技術(shù)(MBE),結(jié)合刻蝕技術(shù)來實現(xiàn)集成。

    2.混合集成:集成器件中包含了有源、無源器件,該技術(shù)需要在同一個襯底上制作無源、有源器件,因此該方法更加復(fù)雜。,它的優(yōu)勢是能夠?qū)崿F(xiàn)無源光波導(dǎo)與有源器件之間較自由的結(jié)合。然而,不同元器件間需要精密的位置調(diào)整與固定,加之不同材料在光學(xué)、機械和熱特性等方面存在差異,都將加重封裝的復(fù)雜性和成本,并限制集成規(guī)模。

    相對而言,目前無源PIC 技術(shù)更為成熟,商用化程度較高,成本也相對更低,通常見到的AWG、基于PLC 的ROADM 都是無源PIC 技術(shù)的產(chǎn)物。


    1.2光子集成發(fā)展及進展


    圖1.光子集成發(fā)展歷程

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