光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。Photolithography（光刻） 意思是用光來制作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。

光刻機的品牌眾多，根據采用不同技術路線的可以歸納成如下幾類：

高端的投影式光刻機可分為步進投影和掃描投影光刻機兩種，分辨率通常在十幾納米至幾微米之間，高端光刻機號稱世界上最精密的儀器，世界上已有7000萬美金的光刻機。高端光刻機堪稱現代光學工業(yè)之花，其制造難度之大，全世界只有少數幾家公司能夠制造。國外品牌主要以荷蘭ASML（鏡頭來自德國），日本Nikon（intel曾經購買過Nikon的高端光刻機）和日本Canon三大品牌為主。

位于我國上海的SMEE已研制出具有自主知識產權的投影式中端光刻機，形成產品系列初步實現海內外銷售。目前正在進行其他各系列產品的研發(fā)制作工作。

生產線和研發(fā)用的低端光刻機為接近、接觸式光刻機，分辨率通常在數微米以上。主要有德國SUSS、美國MYCRO NXQ4006、以及中國品牌。

光刻機一般根據操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動

A 手動：指的是對準的調節(jié)方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了；

B 半自動：指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧；

C 自動： 指的是 從基板的上載下載，曝光時長和循環(huán)都是通過程序控制，自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要。

曝光系統最核心的部件之一是紫外光源。

常見光源分為：

可見光：g線：436nm

紫外光（UV），i線：365nm

深紫外光（DUV）,KrF 準分子激光：248 nm, ArF 準分子激光：193 nm

極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm

對光源系統的要求

a.有適當的波長。波長越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高。]

b.有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短；

c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區(qū)。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]

常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經過濾光后使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。

對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準分子激光。例如KrF 準分子激光（248 nm）、ArF 準分子激光（193 nm）和F2準分子激光（157 nm）等。

曝光系統的功能主要有：平滑衍射效應、實現均勻照明、濾光和冷光處理、實現強光照明和光強調節(jié)等。