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  • 硅基光電子學(xué)概述

    時(shí)間:2020-05-28 23:30 閱讀:18480 [投稿]
    硅基光電子學(xué)是探討微米/納米級(jí)光子、電子、及光電子器件的新穎工作原理,并使用與硅基集成電路技術(shù)兼容的技術(shù)和方法,單片或混合集成在同一硅襯底上的一門科學(xué)。

    硅基光電子學(xué)是探討微米/納米級(jí)光子、電子、及光電子器件的新穎工作原理,并使用與硅基集成電路技術(shù)兼容的技術(shù)和方法,單片或混合集成在同一硅襯底上的一門科學(xué)。

    硅基光電子學(xué)簡(jiǎn)介

    晶體管這個(gè)被譽(yù)為20世紀(jì)最偉大的發(fā)明改變了世界,而以硅材料為基礎(chǔ)的微電子器件則以其低功耗、低成本、易集成等優(yōu)點(diǎn)迅速占領(lǐng)了絕大部分電子市場(chǎng),并成為當(dāng)時(shí)高科技產(chǎn)業(yè)的重要支柱。從晶體管的發(fā)明、集成電路的出現(xiàn)、計(jì)算機(jī)的不斷更新?lián)Q代、再到通信網(wǎng)絡(luò)的飛速發(fā)展,人類生活的各個(gè)層面無(wú)不打下了微電子的烙。何㈦娮赢a(chǎn)品已經(jīng)被用到人們物資生活的各個(gè)層面;微電子的設(shè)計(jì)思想和制作方法也已經(jīng)滲入到不同學(xué)科及社會(huì)領(lǐng)域。

    然而,微電子器件的進(jìn)一步小型化使得集成電路的互連延遲效應(yīng)及能耗問(wèn)題成了以電子作為信息載體的高速集成電路技術(shù)的一個(gè)不可逾越的障礙。與電子相比,光子作為信息載體具有巨大的優(yōu)勢(shì):光子沒(méi)有靜止質(zhì)量,光子之間也幾乎沒(méi)有干擾,光的不同波長(zhǎng)可用于多路同時(shí)通訊,因此,利用光子的信息技術(shù)具有更大的帶寬和更高的速率。

    所謂硅基光電子學(xué) [1]  ,就是研究和開(kāi)發(fā)以光子和電子為信息載體的硅基大規(guī)模集成技術(shù)。其核心內(nèi)容就是研究如何將光子器件"小型化"、“硅片化”并與納米電子器件相集成,即利用硅或與硅兼容的其他材料,應(yīng)用硅工藝,在同一硅襯底上同時(shí)制作若干微納量級(jí),以光子和/或電子為載體的信息功能器件,形成一個(gè)完整的具有綜合功能的新型大規(guī)模集成芯片。

    硅基光電子學(xué)不足

    雖然硅材料在光電效應(yīng)方面存在著“先天不足”,而光子器件在尺寸方面也“衍射受限”,但將微電子和光電子結(jié)合起來(lái),開(kāi)發(fā)硅基大規(guī)模光電子集成技術(shù),已經(jīng)成為信息技術(shù)發(fā)展的必然和業(yè)界的普遍共識(shí)。

    硅基光電子學(xué)研究的內(nèi)容

    硅基光電子學(xué)研究的具體內(nèi)容包括: 硅中光子與電子的相互作用, 硅基光波導(dǎo),硅基無(wú)源器件,硅基光源,硅基光學(xué)調(diào)制,硅基光電探測(cè)器,硅基表面等離子激元器件,硅基光電子器件工藝與系統(tǒng)集成,硅基光電子學(xué)的應(yīng)用等。

    硅基光電子學(xué)擬解決的關(guān)鍵問(wèn)題包括:微納米范圍之內(nèi)的光電相互作用及影響,微納范圍內(nèi)光-光,光-熱、光-機(jī),光-磁,光-生化等的傳感行為,微納光電器件的計(jì)算機(jī)模擬,微納光電器件的耦合,微納傳感器件的集成,微弱信號(hào)的探測(cè)與放大,微納薄膜技術(shù),電子束光刻,納米壓印技術(shù),聚焦離子束加工,高精度等離子體工藝等。

    硅基光電子學(xué)目前最迫切的需求來(lái)源于高速度,大容量,低成本的計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò),寬帶通信網(wǎng)絡(luò),物聯(lián)傳感網(wǎng)絡(luò),以及大數(shù)據(jù)中心。

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    文章點(diǎn)評(píng)

    江橋:好帖子啊(2020-07-16)

    rige:學(xué)習(xí)了。。。。(2020-05-30)