3 國(guó)內(nèi)外光波導(dǎo)相控陣研究進(jìn)展

國(guó)外在光學(xué)相控陣特別是光波導(dǎo)相控陣研究較早，主要是美國(guó)、歐洲以及日本。自從20世紀(jì)60年代微波相控陣技術(shù)問(wèn)世以來(lái)，研究者做了大量的研究工作。

3.1 國(guó)外一維光波導(dǎo)相控陣的研究進(jìn)展

光波導(dǎo)相控陣研究是從微波相控陣技術(shù)發(fā)展過(guò)來(lái)的，由于光波導(dǎo)相控陣技術(shù)波長(zhǎng)更小，采用的技術(shù)和加工精度不同于微波相控陣技術(shù)，國(guó)外一維光波導(dǎo)相控陣的研究進(jìn)展情況如表1所示。

表1.國(guó)外一維光波導(dǎo)相控陣的研究進(jìn)展

由表1看出，隨著加工工藝的發(fā)展，光波導(dǎo)相控陣的尺寸越來(lái)越小、陣元間隔越來(lái)越��；控制電壓由千伏到毫伏量級(jí)；偏轉(zhuǎn)角度越來(lái)越大。

3.2 國(guó)外二維光波導(dǎo)相控陣的研究進(jìn)展

二維光波導(dǎo)相控陣掃描是在一維的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，相比一維光波導(dǎo)相控陣，其器件更加復(fù)雜。研究發(fā)展進(jìn)程如表2所示。

由表2可知，國(guó)外二維光波導(dǎo)相控陣的發(fā)展與工藝越來(lái)越緊密，隨著加工工藝的發(fā)展，相控陣模塊越來(lái)越小，陣元間距也越來(lái)越小，陣元的損耗越來(lái)越低，空間掃描的角度越來(lái)越大，實(shí)用性越來(lái)越強(qiáng)，已研制出光波導(dǎo)相控陣原理實(shí)驗(yàn)樣機(jī)。

3.3 國(guó)內(nèi)光波導(dǎo)相控陣的研究進(jìn)展

國(guó)內(nèi)在光波導(dǎo)相控陣方面的研究進(jìn)展如表3所示。由表3看出，國(guó)內(nèi)在光波導(dǎo)相控陣研究還處于初期階段，由于光波導(dǎo)陣列器件加工工藝在國(guó)內(nèi)有限，控制系統(tǒng)由多組控制線的小規(guī)模集成電路構(gòu)成，性能和國(guó)外還有一段差距。

表2.國(guó)外二維光波導(dǎo)相控陣的研究進(jìn)展

從國(guó)內(nèi)外光波導(dǎo)光學(xué)相控陣的研究進(jìn)展可以看出，光波導(dǎo)光學(xué)相控陣集成度越來(lái)越高、掃描角度越來(lái)越大；控制方式由單級(jí)級(jí)聯(lián)控制到多級(jí)級(jí)聯(lián)控制、相控陣單元的傳輸損耗越來(lái)越小、控制電壓越來(lái)越小。