近日，華為技術(shù)有限公司公開一項(xiàng)名為“耦合光的光學(xué)芯片及其制造方法”的發(fā)明專利，申請(qǐng)日期為2019年2月，公開號(hào)為CN112601995A。該專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種用于在光學(xué)芯片與另一光學(xué)器件之間耦合光的光學(xué)芯片，包括：基板；包層，設(shè)置在所述基板上。

此外還提供了一種用于制造光學(xué)芯片的方法，其中，蝕刻所述基板形成由第一截面構(gòu)成的側(cè)壁，所述第一截面與所述光學(xué)面成一條直線且相鄰。

從所述基板的背面去除所述基板的一部分以對(duì)晶圓進(jìn)行切割，使得所述光學(xué)芯片的第二截面與所述光學(xué)面成一條直線或從所述光學(xué)面凹入。

光學(xué)芯片，它不同于我們所熟知的臺(tái)積電、麒麟等包括CPU、GPU在內(nèi)的集成電路。光芯片是用于光電信號(hào)轉(zhuǎn)換的一種核心器件。光芯片包括激光器、調(diào)制器、耦合器、波分復(fù)用器、探測(cè)器等。光芯片是5G時(shí)代的關(guān)鍵技術(shù)，在路由領(lǐng)域，設(shè)備、基站、傳輸系統(tǒng)，在接入網(wǎng)絡(luò)的核心建設(shè)中，光設(shè)備成本占60%以上，光芯片就是最重要的一部分。目前我國的企業(yè)只具備10Gbps速率及以下的激光、探測(cè)器、調(diào)制器芯片的研發(fā)能力。在高端光學(xué)芯片領(lǐng)域和歐美等發(fā)達(dá)國家還落后了1到2代。我國的光芯片領(lǐng)域還主要依賴于美國、新加坡等國家。

在2020年，華為投資88億元，在英國建廠，主要進(jìn)行光電器件的研發(fā)和生產(chǎn)。并且早在2012年，華為便收購了擁有世界領(lǐng)先的光電研究實(shí)驗(yàn)室的英國己撐光電器件公司。這一系列舉措，雖然初期投入巨大，但從長遠(yuǎn)角度來看，這對(duì)于大大減少我國對(duì)發(fā)達(dá)國家技術(shù)依賴有著重要的意義。

本次華為公布的光學(xué)芯片領(lǐng)域的專利，就代表了我國在耦合光光學(xué)芯片的重大突破。相信華為會(huì)在光學(xué)芯片領(lǐng)域會(huì)有持續(xù)的成果輸出，打破該領(lǐng)域歐美國家的依賴關(guān)系。