據(jù)中科院半導(dǎo)體所消息，得益于現(xiàn)有成熟的半導(dǎo)體先進技術(shù)，硅光集成器件由于其制作工藝與CMOS工藝相兼容從而得到了巨大的發(fā)展。硅光芯片目前的單片集成度已達8192個獨立元器件。但是由于硅的間接帶隙半導(dǎo)體材料特性，其光子產(chǎn)生和放大效率遠遠不如其他直接帶隙半導(dǎo)體（比如磷化銦或者砷化鎵），從而大大限制了硅基全集成光芯片的進一步發(fā)展。

在光集成芯片功耗、成本和尺寸等因素的驅(qū)動下，相關(guān)科研單位和業(yè)界公司對硅基光源和光放大器進行了深入的調(diào)研和研發(fā)，許多具有創(chuàng)新性的想法被提出和展示。美國Ayar實驗室劉松濤博士等人主要著重于近期所報道的基于鍵合和直接生長技術(shù)的高性能硅基光源和光放大器，對文獻中所提出的方法和針對的問題進行了分析和介紹。

薄膜鈮酸鋰調(diào)制器光學(xué)顯微鏡圖及掃描電鏡圖

本文回顧了一些典型光器件比如超窄線寬硅基激光器、硅基鎖模激光器和硅基光放大器等，對它們的性能和應(yīng)用場景做了全面的分析。目前基于鍵合方式的光器件已經(jīng)開始商業(yè)化進程，基于直接生長技術(shù)的光器件還處于萌芽之中。我們相信，低成本、高性能的硅基全集成光電芯片將在不久的將來出現(xiàn)。