南大光電高端ArF光刻膠獲得突破 未來可用于7nm工藝
南大光電研發(fā)的高端ArF光刻機(jī)已經(jīng)獲得了國內(nèi)某企業(yè)的認(rèn)證,用于55nm工藝制造。
在半導(dǎo)體制造上,國內(nèi)廠商需要突破的不只是光刻機(jī)等核心設(shè)備,光刻膠也是重要的一環(huán)。南大光電日前宣布,該公司研發(fā)的高端ArF光刻機(jī)已經(jīng)獲得了國內(nèi)某企業(yè)的認(rèn)證,用于55nm工藝制造。 南大光電于5月31日晚間發(fā)布公告,控股子公司寧波南大光電自主研發(fā)的ArF光刻膠繼2020年12月在一家存儲芯片制造企業(yè)的50nm閃存平臺上通過認(rèn)證后,近日又在邏輯芯片制造企業(yè)55nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品上取得了認(rèn)證突破,表明公司光刻膠產(chǎn)品已具備55nm平臺后段金屬布線層的工藝要求。 不過南大光電沒有透露具體的客戶名字。 在光刻機(jī)市場上,國內(nèi)自給率極低,歐美日等地區(qū)的廠商占據(jù)主要份額,JSR、信越化學(xué)等TOP5廠商占據(jù)全球87%的份額。 光刻膠有不同的技術(shù)類別,低端的中g(shù)線/i線光刻膠自給率約為20%,KrF光刻膠自給率不足5%,而高端的ArF光刻膠完全依賴進(jìn)口,是國內(nèi)半導(dǎo)體的卡脖子技術(shù)之一。 雖然南大光電的ArF光刻膠現(xiàn)在通過的是55nm工藝認(rèn)證,但ArF光刻膠涵蓋的工藝技術(shù)很廣,可用于90nm-14nm甚至7nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)制造工藝,廣泛應(yīng)用于高端芯片制造(如邏輯芯片、 存儲芯片、AI 芯片、5G 芯片和云計算芯片等)。 |
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