文章還綜述討論了當前六大類鈣鈦礦圖案化技術(shù)（噴墨打印、光直寫、納米壓印、基底預(yù)圖案、模板輔助、激光刻蝕）的最新研究進展，分析對比了各圖案化技術(shù)在分辨率、可擴展性、加工損傷、成本、加工效率、技術(shù)柔性六個維度的能力分布，從中篩選納米壓印與基底預(yù)圖案為最具潛力的鈣鈦礦微型化技術(shù)方案，并評論了各圖案化技術(shù)未來的發(fā)展方向（圖2）。

圖3. micro-PeLED研究進展

雖然鈣鈦礦圖案化、陣列化技術(shù)發(fā)展迅速，但受限于器件工藝的成熟度不足，相關(guān)micro-PeLED的報道很少。因此，文章系統(tǒng)總結(jié)了目前已報道的兩大類micro-PeLED器件、參數(shù)以及相關(guān)制備工藝，對比并提出微電極控制的自發(fā)光micro-PeLED將可能是未來超清顯示技術(shù)的終極形態(tài)（圖3）。

圖4. micro-PeLED未來發(fā)展技術(shù)路線

最后，針對micro-PeLED新型顯示的發(fā)展，結(jié)合鈣鈦礦發(fā)光材料的特性，文章首次提出了全彩化、微電路集成、發(fā)光單元納米化三大技術(shù)路線，并具有前瞻性地給出了技術(shù)路線的具體實施方案，同時，對該新興方向的未來發(fā)展進行了展望（圖4）。

總的來說，該展望為鈣鈦礦圖案化、微縮化工藝及micro-PeLED器件制備技術(shù)提供了理論總結(jié)與指導(dǎo)，也為開展實驗工作提供了參考借鑒，對進一步開發(fā)鈣鈦礦發(fā)光器件潛力、推動該新型鈣鈦礦顯示技術(shù)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用有重要意義。

北京大學(xué)聯(lián)合培養(yǎng)企業(yè)博士后楊曉宇為該論文第一作者，朱瑞和利亞德智能顯示研究院院長盧長軍為通訊作者，北京大學(xué)和利亞德光電股份有限公司為通訊單位。

該工作得到了國家自然科學(xué)基金委、北京市自然科學(xué)基金、國家重點研發(fā)計劃、北京大學(xué)人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學(xué)中心、量子物質(zhì)科學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心、極端光學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心等單位的支持。

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