高功率高亮度半導(dǎo)體激光芯片是激光產(chǎn)業(yè)鏈的基石與源頭，激光芯片的功率、亮度、可靠性作為核心指標(biāo)，直接影響激光系統(tǒng)的性能、體積與成本，是實(shí)現(xiàn)激光系統(tǒng)小型化、輕量化、智能化的前提和保證。

長光華芯致力于更高功率、更高亮度單管芯片的研發(fā)與生產(chǎn)，日前據(jù)媒體報(bào)道，長光華芯單管芯片功率突破性的達(dá)到66W。

2023年1月，在photonics west 2023會(huì)議上， 長光華芯首次報(bào)道了在亮度保持不變的條件下(芯片條寬230μm)，芯片出光功率提升20%(功率從32W提升到40W)，最大功率超過51W.該芯片的功率亮度性能是230μm條寬下高功率激光芯片已知報(bào)道的最高水平，長光華芯為實(shí)現(xiàn)高亮度條件下芯片功率的持續(xù)提升而不斷探索。

2023年2月，基于在photonics west報(bào)道的芯片技術(shù)長光華芯開發(fā)了更高功率芯片寬條寬半導(dǎo)體激光芯片，在業(yè)內(nèi)首次推出最大功率超過66W的單管芯片(熱沉溫度為室溫)，芯片條寬290μm，最大效率超過70%，工作效率超過63%，這是迄今已知報(bào)道的條寬在400μm以下高功率激光芯片的最高水平。