一種可控的自旋依賴互反晶格矢量，由其組成的非均勻各向異性納米孔的空變幾何相位引起。該矢量在動量空間中將自旋退化帶分裂為兩個自旋極化分支，被稱為光子拉什巴效應。 

連續(xù)介質中一對高Q對稱(準)束縛態(tài)，即在自旋分裂分支的帶邊緣的±K(布里淵區(qū)角)光子自旋谷態(tài)，而且這兩個態(tài)形成一個振幅相等的相干疊加態(tài)。 

Koren教授指出：“我們使用WS2單層作為增益材料，因為這種直接帶隙過渡金屬二硫化物具有獨特的谷偽自旋，在谷電子學中作為替代信息載體被廣泛研究。具體來說，它們的±K'谷激子(作為平面自旋偏振偶極發(fā)射器輻射)可以根據谷對比選擇規(guī)則被自旋偏振光選擇性激發(fā)，從而可以在沒有磁場的情況下主動控制自旋光學光源。” 

在單層集成的自旋谷微腔中，±K'谷激子通過偏振匹配耦合到±K自旋谷態(tài)，通過強光反饋實現(xiàn)室溫自旋光激子激光，同時，激光機制驅動初始無相位相關的±K'谷激子尋找系統(tǒng)的最小損耗態(tài)，根據±K自旋谷態(tài)相反的幾何相位重新建立相位鎖定相關。 

這種激光機制驅動的山谷相干消除了對低溫抑制間歇散射的需要。此外，Rashba單層激光器的最小損耗狀態(tài)可以通過線性(圓形)泵浦偏振來調節(jié)，這提供了一種控制激光強度和空間相干的方法。 

Hasman教授解釋說：“揭示的光子自旋谷Rashba效應提供了一種構造表面發(fā)射自旋光學光源的一般機制。在單層集成的自旋谷微腔中展示的谷相干性，使我們朝著通過量子位實現(xiàn)±K'谷激子之間量子信息的糾纏邁出了一步�！� 

長期以來，我們的團隊一直在開發(fā)自旋光學，以利用光子自旋作為控制電磁波行為的有效工具。2018年，我們被二維材料中的谷偽自旋所吸引，因此開始了一個長期的項目，研究在沒有磁場的情況下，對原子尺度自旋光學光源的主動控制。我們最初通過使用非局部Berry相位缺陷模式，解決了從單個谷激子中獲取相干幾何相位的挑戰(zhàn)。 

然而，由于激子之間缺乏強同步機制，已實現(xiàn)的Rashuba單層光源的多個谷激子的基本相干疊加仍然未解決。這個問題激發(fā)我們思考高Q光子Rashuba模式。在新的物理方法創(chuàng)新之后，我們實現(xiàn)了本文所述的Rashuba單層激光器。 

這項成就為在經典和量子領域研究相干自旋相關現(xiàn)象鋪平了道路，為基礎研究和利用電子和光子自旋的光電子設備開辟了新的天地。 

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