國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州諾爾光電科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“單光子雪崩二極管圖像傳感器晶圓及其制造方法、單光子雪崩二極管圖像傳感器及其制造方法”的專利，公開號(hào)CN118888562 A，申請(qǐng)日期為 2024年7月。

專利摘要顯示，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N單光子雪崩二極管圖像傳感器晶圓及其制造方法、一種單光子雪崩二極管圖像傳感器及其制造方法，方法包括：提供施主襯底，施主襯底包括后續(xù)能夠進(jìn)行光響應(yīng)的吸收層。提供目標(biāo)襯底，目標(biāo)襯底包括依次層疊設(shè)置的第二襯底、埋氧層和第一硅層，在目標(biāo)襯底上形成第一絕緣層，構(gòu)成受主襯底，鍵合受主襯底和施主襯底，去除部分厚度的第一襯底，得到單光子雪崩二極管圖像傳感器晶圓。通過(guò)利用包括第二襯底、埋氧層和第一硅層的目標(biāo)襯底，以及在目標(biāo)襯底上形成第一絕緣層能夠形成雙層諧振腔結(jié)構(gòu)，雙層諧振腔結(jié)構(gòu)能夠形成高性能單光子雪崩二極管圖像傳感器晶圓，最終制造得到高性能單光子雪崩二極管圖像傳感器。