藍(lán)光led通常采用al2o3用襯底硬度高、熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率低，如果采用正裝結(jié)構(gòu)，一方向會帶來防靜電的問題，另一方面，在大電流情況下散熱也會成為最主要的問題。同時由于正面電極朝上，會遮掉一部分光，發(fā)光效率會降低。大功率藍(lán)光led（如圖35-2）通過芯片倒裝技術(shù)（flip chip）可以比傳統(tǒng)的封裝技術(shù)得到更多的有效出光。

現(xiàn)在主流的倒裝結(jié)構(gòu)做法是：首先制備出具有適合共晶焊接電極的大尺寸藍(lán)光led芯片。同時制備出比藍(lán)光led芯片略大的硅襯底，并在上制作出共晶焊的金導(dǎo)電層及引出導(dǎo)線層（超聲金絲球焊點）。然后，利用共晶焊接設(shè)備將大功率藍(lán)色led芯片與硅襯底焊接在一起。這種結(jié)構(gòu)的特點是外延層直接與硅襯底接觸，硅襯底的熱阻又遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于藍(lán)寶石襯底，所以散熱的問題很好地解決了。由于倒裝后藍(lán)寶石襯底朝上，成為出光面，藍(lán)寶石是透明的，因此出光問題也得到解決。如果在外延表面作一層金屬反光層，那么有源層向下發(fā)的光通過金屬鏡面反射向上，通過al2o3襯底向外發(fā)射，提高了出光效率。