led芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊，同時(shí)要滿足盡可能多的出光。主要流程如圖下：


鍍膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要在1.33*10-4pa高真空下用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導(dǎo)體材料表面，一般所用p型的接觸金屬的包括aube,auzn等，n面的接觸金屬常采用augeni合金，鍍膜工藝中最常出現(xiàn)的問題是鍍膜前的半導(dǎo)體表面清洗，半導(dǎo)體表面的氧化物，油污等雜質(zhì)清洗不干凈往往造成鍍膜不牢，鍍膜后形成的合金層還需要通過光刻工藝將發(fā)光區(qū)盡可能多露出來，使留下來的合金層能滿足有效可靠的低歐姆接觸電極，及焊線壓墊的要求，正面最常用到的形狀是圓形，對(duì)背面來說若材料是透明的也要刻出圓形如下圖所示。


光刻工序結(jié)束后還要通過合金化過程。合金化通常是在h2或n2保護(hù)下進(jìn)行。合金化的時(shí)間溫度通常是根據(jù)半導(dǎo)體材料特性。合金爐形式等因素決定，通常紅黃led材料中的合金化溫度在350度到550度之間。合金化成功后半導(dǎo)體表面相鄰兩電極間的i-v曲線通常是成直線關(guān)系，當(dāng)然若是半綠等芯片在電極工藝還要復(fù)雜要增加鈍化膜生長(zhǎng)，等離子刻蝕工藝等。
紅黃led管芯切割方法類似于硅片管芯切割工藝。普通使用的是金剛砂輪刀片。其刀片厚度一般為25um。對(duì)于蘭綠芯片工藝來說，由于襯底材料是al2o3要先用金剛刀劃過以后掰裂的方法。
發(fā)光二極管芯片的檢測(cè)的根據(jù)一般包括測(cè)試其正向?qū)�通電壓，波長(zhǎng)，光強(qiáng)，及反向特性等。
芯片成品包裝一般包括白膜包裝和藍(lán)膜包裝。白膜裝一般是有焊墊的面粘在膜上，芯片間距也較大適合手動(dòng)。藍(lán)膜包裝一般是背面粘在膜上。芯片間距較小適合自動(dòng)機(jī)。