當(dāng)前我國(guó)led產(chǎn)業(yè)與國(guó)際先進(jìn)相比，差距主要反映在產(chǎn)品水平較低和研發(fā)能力不足上。從產(chǎn)品水平方面看越到上游，水平差距越大。如led屏幕技術(shù)，與國(guó)外先進(jìn)水平差距不大，道路交通信號(hào)燈技術(shù)水平與國(guó)外先進(jìn)水平略有差距，差距最大的是外延方面，主要反映在光學(xué)性能上，還反映在均勻性和成品率上，如ingaalp外延片制成的芯片，國(guó)外最高已達(dá)200～300mcd/20ma，而國(guó)內(nèi)僅100~200。ingan藍(lán)光和綠光數(shù)據(jù)也相差近一倍。至于在新產(chǎn)品的研發(fā)能力上，差距顯得更大些，目前我們外延產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)，還全是仿照他人的，應(yīng)積極開(kāi)展創(chuàng)新型研發(fā)工作，做出具有我們自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的東西來(lái)。在大功率led芯片的研發(fā)上，發(fā)光效率也大致相當(dāng)于先進(jìn)水平的一半，如白光在日本日立和美國(guó)lumiled公司已有50lm/w的產(chǎn)品，而我們研發(fā)的最高水平僅為25.7lm/w，發(fā)光效率只有19.3lm/w。大功率led用國(guó)外芯片能封出30lm/w器件。低檔和中檔的各種形狀的led我國(guó)現(xiàn)在都能生產(chǎn)。在led大屏幕產(chǎn)品水平上還有一定差距，而在應(yīng)用產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)上，如液晶背光源，汽車(chē)燈方面也有一定差距。
誠(chéng)然經(jīng)過(guò)努力，我們也有一些開(kāi)發(fā)產(chǎn)品具備了國(guó)際上的先進(jìn)水平。如硅襯底上外延ingan，已取得30mcd/20ma的芯片成果。而在道路交通信號(hào)燈和航標(biāo)燈方面也達(dá)到了與國(guó)際先進(jìn)相當(dāng)?shù)漠a(chǎn)品水平，并取得了較好的市場(chǎng)業(yè)績(jī)。
值得高興的是，近二年，特別是國(guó)家半導(dǎo)體照明工程啟動(dòng)以來(lái)，產(chǎn)品水平和開(kāi)發(fā)水平提高的速度明顯加快，出現(xiàn)上、中、下游全面啟動(dòng)的好現(xiàn)象，按這樣的發(fā)展趨勢(shì)，逐步趕上國(guó)際先進(jìn)水平是指日可待的。