led作為一個電致發(fā)光的p-n結器件，其特性可通該p-n結的電學參數(shù)，以及作為一個發(fā)光器件的光學參數(shù)來進行描述。
伏安特性是描述一個p-n結器件的重要參數(shù)，它是p-n結性能，p-n結制作工藝優(yōu)劣的重要標識。所謂伏安特性，即是流過p-n結的電流隨電壓變化的特性，在示波器上能十分形象地展示這種變化。一根完整的伏安曲線包括正向特性與反向特性。通常，反向特性曲線變化較為陡峭，當電壓超過某個閾值時，電流會出現(xiàn)指數(shù)式上升。通常可用反向擊穿電壓，反向電流和正向電壓三個參數(shù)來進行伏安特性曲線的描述。
正向電壓vf 是指額定正向電流下器件二端的電壓降，這個什既與材料的禁帶寬度有關，同時也標識了p-n結的體電阻與歐姆接觸電阻的高低。vf的大小一定程度上反映了電極制作的優(yōu)劣。相對于20毫安的正向電流，紅黃光類led的vf值約為2伏，而gan基蘭綠光類led器件的vf值通常大于3伏。反向漏電流ir是指給定的反向電壓下流過器件的反向電流值，這個值的大小十分敏感于器件的質量。通常在5伏的反向電壓下，反向漏電流應不大于是10微安，ir過大表明結特性較差。反向擊穿電壓是指當反向電壓大于某一值時，反向漏電電流會急劇增大，反映了器件反向耐壓的特性。對一個具體器件而言，漏電流大小的標準有所不同，在較為嚴格的情況下，要求在規(guī)定電壓下，反向漏電流不大于10微安。
除了電學特性，還需采用一系列的光學參數(shù)來描述led器件的性能，其中較為重要的參數(shù)為器件的峰值波長與光強。可見光屬電磁波范疇，通常可以用波長來表達人眼所能感受到的�？梢姽獾妮椛淠芰�，一般可見光的波長范圍在380nm—760nm之間，波長越長，其相應的光子能量就越低，光的顏色也顯得越紅，當光子的波長變短時，光將逐漸由紅轉黃，進而變綠變蘭，直至變成紫色。對于一個led器件，其所發(fā)的光會在峰值λp處有所展開，其波長半寬度通常為10—30nm，半寬度越越小，說明led器件的材料越純，性能越均勻，晶體的完整性也越好。光強是衡量led性能優(yōu)劣的另一個重要參數(shù)，通常用字母iv來表示。光強的定義是，光在給定方向上，單位立體角內發(fā)了1流明的光為1燭光，其單位用坎德拉（cd）表示。其關系可用公式表征：
iv=dφ/dΩ                                       
式中φ的單位為流明，iv的單位即是cd，dΩ是單位立體角，單位為度。一個超亮led芯片的法向光強一般在30—120mcd之間，封裝成器件后，其法向光強通常要大于1cd。
光通量是判別led發(fā)光效率的一個更為客觀的參量，它表示單位時間內電發(fā)光體發(fā)出的光能的大小，單位為流明（lm）。通常白熾燈與熒光燈的光效分別為15lm/w與60lm/w，燈泡的功率越大，光通量越大。對于一個性能較高的led器件，光效為20lm/w，實驗室水平也有達到100lm/w的。為使led器件更快地用于照明，必須進一步提高led器件的發(fā)光效率，估計10年后，led的光效可達200lm/w。屆時，人類將會迎來一個固態(tài)光源全面替代傳統(tǒng)光源的新時代。