半導體p-n結發(fā)光現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)，可追溯到上世紀二十年代。法國科學家o.w.lossow在研究sic檢波器時，首先觀察到了這種發(fā)光現(xiàn)象。由于當時在材料制備、器件工藝技術上的限制，這一重要發(fā)現(xiàn)沒有被迅速利用。直至四十年后，隨著Ⅲ-Ⅴ族材料與器件工藝的進步，人們終于研制成功了具有實用價值的發(fā)射紅光的gaasp發(fā)光二級管，并被ge公司大量生產(chǎn)用作儀器表指示。此后，由于gaas、gap等材料研究與器件工藝的進一步發(fā)展，除深紅色的led外，包括橙、黃、黃綠等各種色光的led器件也大量涌現(xiàn)于市場。
出于多種原因，gap、gaasp等led器件的發(fā)光效率很低，光強通常在10mcd以下，只能用作室內顯示之用。雖然algaas材料進入間接躍進型區(qū)域，發(fā)光效率迅速下降。跟隨著半導體材料及器件工藝的進步，特別是mocvd等外延工藝的日益成熟，至上世紀九十年代初，日本日亞化學公司（nichia）與美國的克雷（cree）公司通過mocvd技術分別在藍寶石與sic襯底上生長成功了具有器件結構的gan基led外延片，并制造了亮度很高的藍、綠及紫光led器件。
超高亮度led器件的出現(xiàn)，為led應用領域的拓展開辟了極為絢麗的前景。首先是亮度提高使led器件的應用于從室內走向室外。即使在很強的陽光下，這類cd級的led管仍能熠熠發(fā)亮，色彩斑斕。目前已大量應用于室外大屏幕顯示、汽車狀態(tài)指示、交通信號燈、lcd背光與通用照明領域。超高亮led的第二個特征是發(fā)光波長的擴展，ingaalp器件的出現(xiàn)使發(fā)光波段向短波擴展到570nm的黃綠光區(qū)域，而gan基器件更使發(fā)光波長短擴至綠、藍、紫波段。如此，led器件不但使世界變得多彩，更有意義的是使固態(tài)白色照明光源的制造成為可能。與常規(guī)光源相比，led器件是冷光源，具有很長的壽命與很小的功耗。其次，led器件還具有體積小，堅固耐用，工作電壓低，響應快，便于與計算機相聯(lián)等優(yōu)點。統(tǒng)計表明，在二十世紀的最后五年內，高亮led產(chǎn)品的應用市場一直保持著40%以上的增長率。隨著世界經(jīng)濟的復蘇以及白色照明光源項目的啟動，相信led的生產(chǎn)與應用會迎來一個更大的高 潮。