led外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(p極，n極)，接下來就用激光切割外延片，然后百分百分撿，根據(jù)不同的電壓，波長，亮度進行全自動化分檢，也就是形成led晶片(方片)。然后還要進行目測，把有一點缺陷或者電極有磨損的，分撿出來，這些就是后面的散晶。此時在藍膜上有不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片或毛 片等。不良品的外延片(主要是有一些參數(shù)不符合要求)，就不用來做方片，就直接做電極(p極，n極)，也不做分檢了，也就是目前市場上的led大圓片。
　　半導體制造商主要用拋光si片(pw)和外延si片作為ic的原材料。20世紀80年代早期開始使用外延片，它具有標準pw所不具有的某些電學特性并消除了許多在晶體生長和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。 
外延產(chǎn)品
　　外延產(chǎn)品應(yīng)用于4個方面，cmos互補金屬氧化物半導體支持了要求小器件尺寸的前沿工藝。cmos產(chǎn)品是外延片的最大應(yīng)用領(lǐng)域，并被ic制造商用于不可恢復(fù)器件工藝，包括微處理器和邏輯芯片以及存儲器應(yīng)用方面的閃速存儲器和dram(動態(tài)隨機存取存儲器)。分立半導體用于制造要求具有精密si特性的元件�！捌娈悺�(exotic)半導體類包含一些特種產(chǎn)品,它們要用非si材料，其中許多要用化合物半導體材料并入外延層中。掩埋層半導體利用雙極晶體管元件內(nèi)重摻雜區(qū)進行物理隔離，這也是在外延加工中沉積的。 
led外延片--襯底材料
　　襯底材料是半導體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導體照明技術(shù)的發(fā)展路線。襯底材料的選擇主要取決于以下11個方面：
1、結(jié)構(gòu)特性好，外延材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度小 　　
2、界面特性好，有利于外延材料成核且黏附性強 　　
3、化學穩(wěn)定性好，在外延生長的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕 　　
4、熱學性能好，包括導熱性好和熱失配度小 　　
5、導電性好，能制成上下結(jié)構(gòu) 
6、光學性能好，制作的器件所發(fā)出的光被襯底吸收小 　　
7、機械性能好，器件容易加工，包括減薄、拋光和切割等 　　
8、價格低廉。 　　
9、大尺寸，一般要求直徑不小于2英吋。 　　
10、容易得到規(guī)則形狀襯底(除非有其他特殊要求)，與外延設(shè)備托盤孔相似的襯底形狀才不容易形成不規(guī)則渦流，以至于影響外延質(zhì)量。 　　
11、在不影響外延質(zhì)量的前提下，襯底的可加工性盡量滿足后續(xù)芯片和封裝加工工藝要求。
led外延片的襯底材料考慮的因素： 　　
1、襯底與外延膜的結(jié)構(gòu)匹配：外延材料與襯底材料的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配小、結(jié)晶性能好、缺陷密度低; 　　
2、襯底與外延膜的熱膨脹系數(shù)匹配：熱膨脹系數(shù)的匹配非常重要，外延膜與襯底材料在熱膨脹系數(shù)上相差過大不僅可能使外延膜質(zhì)量下降，還會在器件工作過程中，由于發(fā)熱而造成器件的損壞; 　　
3、襯底與外延膜的化學穩(wěn)定性匹配：襯底材料要有好的化學穩(wěn)定性，在外延生長的溫度和氣氛中不易分解和腐蝕，不能因為與外延膜的化學反應(yīng)使外延膜質(zhì)量下降; 　　
4、材料制備的難易程度及成本的高低：考慮到產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的需要，襯底材料的制備要求簡潔，成本不宜很高。襯底尺寸一般不小于2英寸。