優(yōu)化了一個4P結構：材料：K26R*3 EP5000*1（795nm-825nm） _r+9S.z  
OBJ: 346MM YL;ZZ2A  
TTL: 4.05 ;^=eiurv  
FOV: 46°@Y=1.815  EFL=4.2MM "a?k #!E  
畸變：<1%° pW:U|m1dS  
F#2.4（要求F#<2.5） ST'L \yebc  
BFL: 0.93MM（要求>0.7MM） D@"q2 !  
Paraxial Magnification: -0.01226985 @j9yc  
根據(jù)視場角、像高要求計算得焦距應為4.45 不過實際優(yōu)化中發(fā)現(xiàn)焦距，視場角及像面高度 總長會有一定誤差，這點感覺奇怪，很難同時滿足要求，不知是不是設計要求問題，看了壇友們的，沒有可以同時滿足這幾者要求的，當前這邊也是把視場角由44°加大46°，才滿足半像高大于等于1.815mm，個人拙見，大家暢聊 Ni"fV]'  
由于系統(tǒng)要求波段范圍較窄，由論壇找一相近波段初始結構： b,#cc>76\  
1.球面初始結構； )tz8(S  
2.將所有球面變?yōu)?span onclick="sendmsg('pw_ajax.php','action=relatetag&tagname=非球面',this.id)" style="cursor:pointer;border-bottom: 1px solid #FA891B;" id="rlt_8">非球面，將曲率及非球面系數(shù)，厚度間隔設為變量；  i/y+kL  
3.控制總長小于4.05mm，同時控制畸變，進行優(yōu)化，開始焦距基于初始結構在目標焦距范圍，沒有在開始控制； 6K[s),rdv  
4.調(diào)整控制像面高度（大于1.815mm）； E"x 2