由于短溝道效應(yīng)，Sub-5 nm硅(Si)基場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造是非常困難的。隨著溝道長(zhǎng)度的減小，CMOS器件不僅受到小尺寸的制造技術(shù)的限制，而且還受到一些基本的物理學(xué)原理如漏電場(chǎng)、電介質(zhì)的擊穿等限制。為了突破5納米節(jié)點(diǎn)晶體管的限制，研究人員探索研究了基于碳納米管、半導(dǎo)體納米線以及二維過渡金屬化合物等材料的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，但這些器件的工作仍然依賴于外部柵極電壓的調(diào)控機(jī)制。如果這種情況不能繼續(xù)下去，這可能意味著摩爾定律的終結(jié)。 IIW6;jS  
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