近日，中國科學(xué)院大學(xué)微電子學(xué)院與中芯國際集成電路制造有限公司在產(chǎn)學(xué)研合作中取得新進(jìn)展，成功在光刻工藝模塊中建立了極坐標(biāo)系下規(guī)避顯影缺陷的物理模型。通過該模型可有效減小浸沒式光刻中的顯影缺陷，幫助縮短顯影研發(fā)周期，節(jié)省研發(fā)成本，為確定不同條件下最優(yōu)工藝參數(shù)提供建議。該成果已在國際光刻領(lǐng)域期刊Journal of Micro-Nanolithography MEMS and MOEMS 發(fā)表。 aZCxyoh