這是一個(gè)實(shí)驗(yàn) 不錯(cuò)的實(shí)驗(yàn) VlbS\Y.  
實(shí)驗(yàn)35 真空鍍膜 ra]lC7<H  
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真空鍍膜技術(shù)，在現(xiàn)代工業(yè)和科技中有廣泛的應(yīng)用，例如光學(xué)儀器上的各種反射膜、增透膜和濾光片、電子器件中的薄膜電阻、大規(guī)模集成電路、硬質(zhì)保護(hù)膜、磁性薄膜等。通過本實(shí)驗(yàn)可掌握真空鍍膜的實(shí)驗(yàn)原理和方法。 s+a} _a:  
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1、熟悉真空的獲得與測(cè)量方法。 |g1~-  
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2、掌握高真空蒸發(fā)鍍膜的基本工藝技術(shù)。 mR3-+dB/  
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[實(shí)驗(yàn)原理] !U[/P6 +0  
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真空鍍膜中常用的方法有真空蒸發(fā)和離子濺射。真空蒸發(fā)鍍膜是在真空度不低于10-2Pa的環(huán)境中，用電阻加熱或電子束和激光轟擊等方法把要蒸發(fā)的材料加熱到一定溫度，使材料中分子或原子的熱振動(dòng)能量超過表面的束縛能，從而使大量分子或原子蒸發(fā)或升華，并直接沉淀在基片上形成薄膜。離子濺射鍍膜是利用氣體放電產(chǎn)生的正離子在電場(chǎng)的作用下的高速運(yùn)動(dòng)轟擊作為陰極的靶，使靶材中的原子或分子逸出來而沉淀到被鍍工件的表面，形成所需要的薄膜。 !L?diR  
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真空蒸發(fā)鍍膜最常用的是電阻加熱法，其優(yōu)點(diǎn)是加熱源的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，造價(jià)低廉，操作方便；缺點(diǎn)是不適用于難熔金屬和耐高溫的介質(zhì)材料。電子束加熱和激光加熱則能克服電阻加熱的缺點(diǎn)。電子束加熱上利用聚焦電子束直接對(duì)被轟擊材料加熱，電子束的動(dòng)能變成熱能，使材料蒸發(fā)。激光加熱是利用大功率的激光作為加熱源，但由于大功率激光器的造價(jià)很高，目前只能在少數(shù)研究性實(shí)驗(yàn)室中使用。 (Rs052m1  
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濺射技術(shù)與真空蒸發(fā)技術(shù)有所不同�！盀R射”是指荷能粒子轟擊固體表面（靶），使固體原子或分子從表面射出的現(xiàn)象。射出的粒子大多呈原子狀態(tài)，常稱為濺射原子。用于轟擊靶的濺射粒子可以是電子，離子或中性粒子，因?yàn)殡x子在電場(chǎng)下易于加速獲得所需要?jiǎng)幽埽�因此大都采用離子作為轟擊粒子。濺射過程建立在輝光放電的基礎(chǔ)上，即濺射離子都來源于氣體放電。不同的濺射技術(shù)所采用的輝光放電方式有所不同。直流二極濺射利用的是直流輝光放電；三極濺射是利用熱陰極支持的輝光放電；射頻濺射是利用射頻輝光放電；磁控濺射是利用環(huán)狀磁場(chǎng)控制下的輝光放電。 NR9=V  
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濺射鍍膜與真空蒸發(fā)鍍膜相比，有許多優(yōu)點(diǎn)。如任何物質(zhì)均可以濺射，尤其是高熔點(diǎn)，低蒸氣壓的元素和化合物；濺射膜與基板之間的附著性好；薄膜密度高；膜厚可控制和重復(fù)性好等。缺點(diǎn)是設(shè)備比較復(fù)雜，需要高壓裝置。 bg/a5$t  
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此外，將蒸發(fā)法與濺射法相結(jié)合，即為離子鍍。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是得到的膜與基板間有極強(qiáng)的附著力，有較高的沉積速率，膜的密度高。 NDYm7X*et  
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[實(shí)驗(yàn)裝置] mnm7{?#[  
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高真空鍍膜機(jī)一般由以下幾部分組成：高真空鍍膜工作室；真空系統(tǒng)；電氣控制與安全保護(hù)系統(tǒng)。 RTQtXv6m
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采用電阻加熱，可加熱蒸發(fā)各種非難熔的金屬與非金屬材料。電極用橡膠圈與真空室底版密封，為了防止在加熱時(shí)電極過熱致使密封破壞，對(duì)電極通水冷卻。電阻加熱元件采用高熔點(diǎn)的金屬鉬片制成舟狀，蒸發(fā)材料置于舟內(nèi), 本實(shí)驗(yàn)中用于蒸發(fā)金屬銀，如下圖所示： ,We'AR3X  
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