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    [討論]MgF2的鍍膜參數(shù)討論 [復(fù)制鏈接]

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    離線yzhuang
     
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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2018-10-10
    一般情況下,如果是一個(gè)超寬帶增透膜,就增透效果來說,最好的低折射率材料MgF2,但是關(guān)于MgF2的鍍膜,溫度基本上要300攝氏度左右最佳,參考資料是不能加離子源,300攝氏度鍍膜抽真空時(shí)間會變得較長,且如果高折射率材料是Ta2O5的話,對于使用電子槍蒸發(fā)而言,必須進(jìn)行離子源輔助才會得到基本無吸收薄膜,如果高折射率材料是Ti3O5的話,300攝氏度可能會有結(jié)晶,吸收也有可能會增加。這就跟MgF2的鍍膜產(chǎn)生了沖突,我曾經(jīng)進(jìn)行過加APS源嘗試,但無論怎么改變源的參數(shù),還是避免不了吸收,我想看看大家是怎么做的,希望能得到一個(gè)最佳的做法。
     
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    離線ouyuu
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    只看該作者 1樓 發(fā)表于: 2018-10-11
    可以試下離子源(Ar+O2), dV$!JTsd  
    離子源先只用Ar,等鍍膜到了一定厚度(比如說1nm)再用部分的O2。 ,e