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英特爾在自旋電子學(xué)技術(shù)領(lǐng)域取得進(jìn)展

發(fā)布:cyqdesign 2018-12-04 13:04 閱讀:5696
英特爾已在一項(xiàng)名為自 旋電子學(xué)的技術(shù)領(lǐng)域取得進(jìn)展。隨著傳統(tǒng)芯片技術(shù)逐漸失去動(dòng)力,這項(xiàng)技術(shù)可取代傳統(tǒng)芯片加速用戶手機(jī)、筆記本電腦和智能手表。周一,英特爾和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員公布了他們的自旋電子學(xué)研究進(jìn)展,它可以將芯片元件的尺寸縮小到目前尺寸大小的五分之一,并降低能耗90-97%。一旦商業(yè)成功,該技術(shù)可為近年來處理性能增長平平的芯片產(chǎn)業(yè)帶來巨大的動(dòng)力。 qPQIcJ  
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團(tuán)隊(duì)的研究為一種名為“磁電旋轉(zhuǎn)軌道”(MESO)的邏輯元件。具體來說,該元件使用氧,鉍和鐵原子的晶格,提供有利的電磁屬性以便外力可存儲(chǔ)并讀取信息。這種元件所需的功率大大小于CMOS晶體管。研究人員還表示,又因?yàn)樗麄儫o需激活即可保留信息,他們還可以在設(shè)備閑置時(shí)提供更加節(jié)能的睡眠模式。 ai_ve[A  
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