現(xiàn)以砷化鎵(GaAs)激光器為例，介紹注入式同質(zhì)結(jié)激光器的工作原理。 >tP/"4
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　　1.注入式同質(zhì)結(jié)激光器的振蕩原理 5bmtUIj  
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　　由于半導體材料本身具有特殊晶體結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)，故形成激光的機理有其特殊性。 u#=N8
 
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　　(1)半導體的能帶結(jié)構(gòu)。半導體材料多是晶體結(jié)構(gòu)。當大量原子規(guī)則而緊密地結(jié)合成晶體時，晶體中那些價電子都處在晶體能帶上。價電子所處的能帶稱價帶(對應(yīng)較低能量)。與價帶最近的高能帶稱導帶，能帶之間的空域稱為禁帶。當加外電場時，價帶中電子躍遷到導帶中去，在導帶中可以自由運動而起導電作用。同時，價帶中失掉一個電子，則相當于出現(xiàn)一個帶正電的空穴，這種空穴在外電場的作用下，也能起導電作用。因此，價帶中空穴和導帶中的電子都有導電作用，統(tǒng)稱為載流子。
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　　(2)摻雜半導體與p-n結(jié)。沒有雜質(zhì)的純凈半導體，稱為本征半導體。如果在本征半導體中摻入雜質(zhì)原子，則在導帶之下和價帶之上形成了雜質(zhì)能級，分別稱為施主能級和受主能級。 o/)\Q>IY  
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