我這里有一篇關(guān)于霍爾源的文章，拿出來(lái)大家分享吧！
Ch~2w )HAA P}AfXgr 關(guān)于霍爾離子源的幾個(gè)問(wèn)題
3j]P\T 尤大偉 任荊學(xué) 黃小剛 武建軍
n%M-L[ n (中國(guó)科學(xué)院空間中心 北京8701信箱 100080 )
Q>,EYb>w I Several concerning about Hall Ion Source for assisted deposition.
TbY <(wrMZ You dawei Ren jingxue Huang xiaogang Wu jianjun
-/k; VT| (Soace Science and Application Research Center Academy Cinica P.O.Box8701 Beijing 100080 P.R.China )
]CFh0N|(L Abstract: the object of our efforts is to improve design of Hall Ion Source in order to obtain broad energy range, large ion beam current, low gas cost, low contaminations and automatic control performances.
VOj{&O2c 摘要：本文目的在于改進(jìn)霍爾源的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)寬能、大束流、低氣耗、低污染、能自動(dòng)化控制的新一代霍爾源。
m3cO {
1 I 關(guān)鍵詞：光學(xué)鍍膜，離子束輔助鍍膜，等離子體加速。
Y 0f"}A1 一、 前言
6WN1D W 我們?cè)O(shè)計(jì)制造了6cm霍爾等離子源。該源的主要性能如下：
YL$#6d 源尺寸Ф14cm×14cm；真空室直徑700-1000mm；照射距離30-50 cm；離子束平均能量40-120ev；離子束流可到1000ma；工作壓力＜4×10-2Pa ；磁場(chǎng)：永久磁鐵；氣體流量5-15 Sccm。經(jīng)過(guò)改進(jìn)，我們擴(kuò)大了平均能量范圍40-150ev，離子束流可達(dá)到1200ma，也降低了氣耗。
Fjc4[ C 我們采用了與眾不同的磁場(chǎng)設(shè)計(jì){1}，流行的磁場(chǎng)是從中心引出向端部發(fā)散，而本磁場(chǎng)是沿著陽(yáng)極邊緣引出向端部發(fā)散。這種磁場(chǎng)有利于提高氣體效率及放電效率。離子流與放電電流比可達(dá)到1/3�？稍谳^低氣壓（1×10-2-2×10-2Pa）及較小氣流量Ar5-10Sccm下運(yùn)行。
