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中國大陸芯片發(fā)展歷程

發(fā)布:探針臺 2019-07-18 14:00 閱讀:5599
1951年,32歲的黃昆結(jié)束完成與諾貝爾物理學獎獲得者馬克斯·玻恩的合作,他們共同編寫的《晶格動力學》這本書,被國際動力學研究者們視若“圣經(jīng)”。回國后,他在北京大學任物理系教授。 \0*LfVr;P  
1951年,謝希德獲得美國麻省理工學院理論物理學博士,開始籌備回國。她先繞道英國,同劍橋大學生物化學系博士曹天欽完婚,第二年,她受上海交通大學周同慶之邀,前往交大任教,由于院系調(diào)整,她同周同慶一起來到復(fù)旦大學物理系。 Lr:K0A.Ch  
一個先留英再居京,一個先赴美再在滬,黃昆和謝希德這兩位看似不會有太多交集的物理學大師,在1956年被凝聚在一起,在北京大學創(chuàng)辦了中國第一個半導(dǎo)體專業(yè),由此孕育出一個中國半導(dǎo)體江湖。 $7YLU{0  
在過去的68年,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從無到有,逐漸發(fā)展成一幅豐富的中國“芯”地圖,以16省20城為代表,北有北京、天津、大連、濟南,南有深圳、珠海、廈門,東有上海、無錫、南京、蘇州、南通、杭州、合肥,中有武漢、長沙,西有重慶、成都、天水、西安。正是這些地方“芯”事,塑造了如今的中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。 7^=jv~>wP  
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1956-1977:從北京獨大到南北雙霸
北京,是中國芯事正式起航的原點,也是與中國半導(dǎo)體物理奠基人黃昆(1919-2005年)一生所牽絆的城市。
黃昆1919年出生于北京,“昆”字取自頤和園內(nèi)的昆明湖,1941年從燕京大學畢業(yè),1951年返回北大物理系執(zhí)教,1977年調(diào)任中國科學院半導(dǎo)體研究所所長,最終長眠于北京八寶山革命公墓里。
1956年暑假,黃昆、謝希德(1921-2005年)等海歸專家在北大創(chuàng)辦中國第一個半導(dǎo)體專業(yè)——北大半導(dǎo)體物理專業(yè),正式拉開中國半導(dǎo)體序幕。此后,清華大學、中科院等高校或研究機構(gòu)快速成長,成為培育中國半導(dǎo)體人才的搖籃。
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▲第一屆北大物理系半導(dǎo)體專業(yè)化畢業(yè)班畢業(yè)生與黃昆合影
此后幾十年間,北大半導(dǎo)體物理專業(yè)走出了任華晶總工程師的中國工程院院士許居衍、聯(lián)合創(chuàng)辦中芯國際的中科院院士王陽元等匠人,清華大學電子工程系走出了中芯國際的三位關(guān)鍵決策者江上舟、張文義、趙海軍,以及兆易創(chuàng)新的創(chuàng)始人舒清明、朱一明等才俊。
1958年,美國造出第一塊集成電路(IC),而在我國以中科院為代表的一眾研究機構(gòu)的努力下,中國第一塊集成電路在1965年現(xiàn)世。
同樣在1958年,謝希德被調(diào)回上海復(fù)旦大學,白手起家創(chuàng)辦上海技術(shù)物理研究所,任副所長。她和同事們一起,為上海半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究和產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定基石。
▲謝希德
產(chǎn)業(yè)方面,中國半導(dǎo)體分立器件剛剛起步,北京是不二主角。
一五期間由蘇聯(lián)援助我國建設(shè)的156項工程之一——1953年在酒仙橋建成的774廠(北京電子管廠)可以說是獨領(lǐng)風騷,在新中國歷史的前30年間,它曾是中國最大、最強大的電子元器件廠。
此時,酒仙橋地區(qū)因為774廠、北京電機總廠、北京有線電廠等十幾個工業(yè)項目的相繼建成,成為中國最大的電子工業(yè)基地。
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▲北京電子管廠(774廠)
到1968年,第四機械工業(yè)部(四機部,1982年改組為電子工業(yè)部)從北京電子管廠抽一部分技術(shù)力量,建成國內(nèi)第一家IC專業(yè)化工廠——878廠(國營東光電工廠)。878廠曾經(jīng)風光無限,和上海無線電十九廠(上無十九廠)并稱為“北霸”和“南霸”。
大連雖然在中國半導(dǎo)體領(lǐng)域的地位不夠靠前,但它在1968年悶聲做了件大事,引得國際半導(dǎo)體巨頭英特爾在這座城市建立了其在中國的大本營。
而此時,剛起步的中國半導(dǎo)體突然放慢了腳步。
文革使得大批學術(shù)領(lǐng)袖或被停職批斗、或者下派干些基層的活兒,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)涌現(xiàn)“電子中心論”,曾掀起“全民”搞半導(dǎo)體的風潮,報上還宣傳一老太太在弄堂拉一臺擴散爐,也能造出半導(dǎo)體。
878廠也深受其害,有人批判它建廠時鋪的水磨石地板為“大、洋、全”,結(jié)果甚至影響了北大電子儀器廠100萬次大型電子計算機的電路供貨。
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▲2英寸線、3英寸線國內(nèi)第一家單位:北京東光電工廠(878廠)
不過中國半導(dǎo)體研發(fā)并未因此止步。同樣是在這一時期,江蘇政府撥款150萬元,組織南大、南京工學院、江蘇無線電廠、華東電子管廠、南京電子管廠、江南光學儀器廠等研制關(guān)鍵設(shè)備。
1972年是里程碑式的一年,尼克松訪華使得中美開始打破堅冰,中國開始從歐美引入技術(shù),同期一個無錫江陰政府創(chuàng)辦的長江內(nèi)衣廠不甘寂寞,創(chuàng)辦了一座江陰晶體管廠,日后它不僅是江陰重要的IC廠商,而且成長為國際封測巨頭。
這一年,還是中日邦交正;囊荒辍N覈14人組成的電子工業(yè)考察團參觀訪問了日本當時八大集成電路公司:日立、日本電氣(NEC)、東芝、三菱、富士通、三洋、沖電氣和夏普的半導(dǎo)體設(shè)計、生產(chǎn)、制造和設(shè)備等。
當時NEC表示可轉(zhuǎn)讓3英寸線全線設(shè)備和3種技術(shù),全體團員回國向國防科委錢學森作了匯報。但文革期間有干部貼大字報批判部領(lǐng)導(dǎo)從國外引進是“洋奴哲學,爬行主義”,加上國家缺乏資金,這次從NEC公司全線引進設(shè)備和技術(shù)的機會沒被抓住。
1977年7月,鄧小平邀請30位科技界代表在人民大會堂召開座談會,中國半導(dǎo)體科學技術(shù)的開拓者之一王守武介紹說:“全國共有600多家半導(dǎo)體生產(chǎn)工廠,其一年生產(chǎn)的集成電路總量,只等于日本一家大型工廠月產(chǎn)量的十分之一!
這一階段,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還處在分立器件發(fā)展初期,有名的IC科研機構(gòu)聚集在北京,受“電子中心化”影響,各地IC廠點大量涌現(xiàn),全國建設(shè)了40多家IC廠,相對有名的建廠地點有北京、上海、西安、天津、蘇州、常州、天水等。
此時,美國和日本先后進入IC規(guī)模生產(chǎn)階段,中國在IC技術(shù)上主要靠自研,僅從國外進口少量較低水平的設(shè)備,又在一定程度上受時局影響,與國外差距逐漸拉大。
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1978-1999:北京國營受挫,江蘇異軍突起
十年浩劫后,“重災(zāi)區(qū)”中科院百廢待興,在總設(shè)計師的直接關(guān)心下,黃昆調(diào)任中科院半導(dǎo)體研究所所長。
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中科院提出,要在一年內(nèi)拿下每片4千位的三個大規(guī)模集成電路典型品種和獨立設(shè)計的新型電路,做出樣品并進入批量生產(chǎn),這一任務(wù)由王守武全面負責。次年9月,目標達成,中科院半導(dǎo)體所后來將這項技術(shù)成果轉(zhuǎn)讓至上海元件五廠,用于生產(chǎn)。
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1、無錫:引入海外技術(shù)第一城
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1978年,878廠發(fā)展成軍工和各工業(yè)部門重要的集成電路提供方,同年,一個我國IC產(chǎn)業(yè)一個重要的新節(jié)點出現(xiàn)——國營江南無線電器材廠(無錫國營第742廠)引入日本東芝3英寸硅片生產(chǎn)線。
▲1969年國營江南無線電器材廠(742廠)遷入大王基廠區(qū)
這是我國第一次從國外引入IC技術(shù),也是上世紀80年代我國引進的規(guī)模最大、涵蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的首條集成電路生產(chǎn)線。
這個時期,國家縮減對電子工業(yè)的直接投入,廣大電子廠為了短期獲得收益,選擇用購買引進取代自主研發(fā),致使中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)重復(fù)引進和過于分散的問題。
這也是中興創(chuàng)始人侯為貴在1980年被派往美國考察生產(chǎn)線,1985年在深圳創(chuàng)辦中興半導(dǎo)體公司的原因。
無錫國營第742廠的成功僅是個例,1987年,742廠的產(chǎn)量達全國同類產(chǎn)品40%,但據(jù)一份當時交給中央的報告顯示,全國有33個單位不同程度引進各種IC生產(chǎn)線設(shè)備,累計投資約13億元,最終建成投入使用的僅有少數(shù)幾條線。
在引進日本生產(chǎn)線時,742廠就做出了很有“市場意識”的抉擇,選擇按國內(nèi)用戶要求為導(dǎo)向,而不是完全按日方產(chǎn)品標準來生產(chǎn)產(chǎn)品。
1983年,電子工業(yè)部決定從四川永川半導(dǎo)體研究所抽調(diào)500人,與742廠共同組建無錫微電子科研生產(chǎn)聯(lián)合體,攻關(guān)2-3微米工藝大生產(chǎn)技術(shù),于1988年開工建設(shè),并先后研制了64KB和256KB動態(tài)隨機存儲器。
在聯(lián)合攻關(guān)的模式下,無錫微電子聯(lián)合公司于1985年成立,以它為基礎(chǔ)的中國華晶電子集團公司則在1989年成立。中國華晶電子集團公司被譽為“中國微電子產(chǎn)業(yè)的黃埔軍校”,從這里走出、在其他公司或政府部門擔任過主要領(lǐng)導(dǎo)或骨干的人數(shù),據(jù)說不下500人。
作為“第一個吃螃蟹”的城市,無錫IC產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展起來,從江南無線電器材廠到華晶電子集團,成為改革開放以來中國微電子企業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展的一個縮影。
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2、531戰(zhàn)略:無錫共享技術(shù),北京國營退場
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1986年,王守武在北京組建中科院微電子中心,電子工業(yè)部在廈門舉行的集成電路研討會上,出臺了集成電路“七五”行業(yè)規(guī)劃(1986~1990年),提出“531”戰(zhàn)略,即普及5微米技術(shù)、研發(fā)3微米技術(shù)、攻關(guān)1微米技術(shù)。
一時間,全國各地IC企業(yè)都派出考察團奔赴無錫,742廠也響應(yīng)國家戰(zhàn)略,向全國推廣5微米技術(shù)并免費贈送資料和支援工程技術(shù)人員。
但當時我國工藝和產(chǎn)品均與國際先進水準相差甚遠,原本提倡的“引進、消化、吸收、創(chuàng)新”八字方針沒有得到全面貫徹,
電路廠達不到整機廠需求,各地引進過程又過于注重設(shè)備、儀器等硬件,而忽視引進技術(shù)和管理,再加上科研和生產(chǎn)結(jié)合不緊密,各所、廠都是獨立研究,研究所還有些許海外歸來的專家或骨干,工廠里幾乎完全靠國內(nèi)大學生和工人們自力更生,這些都制約了我國IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
即便是發(fā)展的排頭兵742廠,此后相繼從東芝、西門子、美國朗訊引入生產(chǎn)線設(shè)備和技術(shù),也沒做到創(chuàng)新。
還有一個問題是經(jīng)費,“七五”規(guī)劃決定要建立的南北三個微電子基地,投資預(yù)計無錫6億元、上海5億元、北京4億元,結(jié)果資金沒著落,北方基地籌備一年多就解散了,上海也投了不到5億元。
1988年,我國的集成電路年產(chǎn)量終于達到1億塊,這標志著國家開始進入工業(yè)化大生產(chǎn),這一標準線的達成時間比美國晚了20年,比日本晚18年。
此時上海半導(dǎo)體企業(yè)開始合資化探索。上海無十四廠引進技術(shù)項目,由上海市儀表局、上海貝爾公司合資設(shè)立上海貝嶺公司,上海無線電七廠和荷蘭飛利浦公司合資成立上海飛利浦半導(dǎo)體公司,這家公司在7年后更名為上海先進,從事大規(guī)模集成電路生產(chǎn)。
而多種因素作用下,北京878廠和774廠逐漸退出IC產(chǎn)業(yè),原北京電子管廠廠長王東升帶領(lǐng)員工自籌650萬元資金進行股份制改造,創(chuàng)辦了京東方。上海元件五廠成為南方地區(qū)集成電路發(fā)展的搖籃。
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3、908工程:無錫華晶栽跟頭,投產(chǎn)即落后
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