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Dual Beam FIB(雙束聚焦離子束) zPb"6%1B  
雙束聚焦離子束是一種多用途的分析技術(shù)，可以用于樣品定位切割并將隱藏在各種基底材料中的缺陷揭露出來。最常見的用途之一就是制備TEM樣品。雙束FIB可以通過切斷/連接芯片線路來進(jìn)行芯片線路修改。

優(yōu)勢	局限
^#2Y4[@   - 橫截面缺陷 %M05& <   - TEM快速樣品制備 N{zou?+   - 線路修改 Aj=c,]2   - 借助EDX配件進(jìn)行元素定量分析	/M_kJe,%   - 晶片尺寸需要小于150mm hzX&BI   - 瀑布效應(yīng)有時會給分析造成不便

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