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芯片制作工藝流程 Hp,r @  
工藝流程 a@ lK+t  
1) 表面清洗 `@`CZg  
    晶圓表面附著一層大約2um的Al2O3和甘油混合液保護(hù)之,在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。 ]y(#]Tw\  
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2) 初次氧化 ?>,aq>2O$  
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    有熱氧化法生成SiO2 緩沖層，用來減小后續(xù)中Si3N4對(duì)晶圓的應(yīng)力 9<Bf5d   
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