qC..\{z  
涂敷光刻膠 ywEDy|Wn$~  
x<@kjfm5  
光刻制造過程中，往往需采用20-30道光刻工序，現(xiàn)在技術(shù)主要采有紫外線(包括遠(yuǎn)紫外線)為光源的光刻技術(shù)。光刻工序包括翻版圖形掩膜制造，硅基片表面光刻膠的涂敷、預(yù)烘、曝光、顯影、后烘、腐蝕、以及光刻膠去除等工序。 gH'_ymT= 3  
/1[gn8V691  
(1)光刻膠的涂敷 UQ~4c,  
/$Z m~Mp  
    在涂敷光刻膠之前，將洗凈的基片表面涂上附著性增強劑或?qū)⒒�片放在惰性氣體中進行熱處理。這樣處理是為了增加光刻膠與基片間的粘附能力，防止顯影時光刻膠圖形的脫落以及防止?jié)穹ǜ�蝕時產(chǎn)生側(cè)面腐蝕(side etching)。光刻膠的涂敷是用轉(zhuǎn)速和旋轉(zhuǎn)時間可自由設(shè)定的甩膠機來進行的。首先、用真空吸引法將基片吸在甩膠機的吸盤上，將具有一定粘度的光刻膠滴在基片的表面，然后以設(shè)定的轉(zhuǎn)速和時間甩膠。由于離心力的作用，光刻膠在基片表面均勻地展開，多余的光刻膠被甩掉，獲得一定厚度的光刻膠膜，光刻膠的膜厚是由光刻膠的粘度和甩膠的轉(zhuǎn)速來控制。所謂光刻膠，是對光、電子束或X線等敏感，具有在顯影液中溶解性的性質(zhì)，同時具有耐腐蝕性的材料。一般說來，正型膠的分辯率高，而負(fù)型膠具有高感光度以及和下層的粘接性能好等 特點。光刻工藝精細(xì)圖形(分辯率，清晰度)，以及與其他層的圖形有多高的位置吻合精度(套刻精度)來決定，因此有良好的光刻膠，還要有好的曝光系統(tǒng)。 P_}/#N{C  
p