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芯片制作工藝流程 四 1 擴(kuò)散技術(shù) 向半導(dǎo)體中摻雜的方法有擴(kuò)散和離子注入法。擴(kuò)散法是將摻雜氣體導(dǎo)入放有硅片的高溫爐，將雜質(zhì)擴(kuò)散到硅片內(nèi)一種方法。優(yōu)點(diǎn)是批量生產(chǎn)，獲得高濃度摻雜。雜質(zhì)擴(kuò)散有兩道工序：預(yù)擴(kuò)散( 又稱預(yù)淀積 Predeposition ) 和主擴(kuò)散 ( drive in )。 |
芯片制作工藝流程 四1 擴(kuò)散技術(shù) 向半導(dǎo)體中摻雜的方法有擴(kuò)散和離子注入法。擴(kuò)散法是將摻雜氣體導(dǎo)入放有硅片的高溫爐，將雜質(zhì)擴(kuò)散到硅片內(nèi)一種方法。優(yōu)點(diǎn)是批量生產(chǎn)，獲得高濃度摻雜。雜質(zhì)擴(kuò)散有兩道工序：預(yù)擴(kuò)散( 又稱預(yù)淀積 Predeposition ) 和主擴(kuò)散 ( drive in )。 |