rBLcj;,
 
北京微光顯微鏡EMMI測試微光,北京微光顯微鏡EMMI公司,檢測 漏電定位微光顯微鏡(EMMI) o<\uH
r3  
對于半導(dǎo)體組件之故障分析而言，微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)已被學(xué)理證實是一種相當有用且效率極高的診斷工具。該設(shè)備具備高靈敏度的CCD，可偵測到組件中電子－電洞對再結(jié)合時所發(fā)射出來的光子，能偵測到的波長約在 350 nm ~ 1100 nm 左右。目前此設(shè)備全方面的應(yīng)用于偵測各種組件缺點所產(chǎn)生的漏電流，如： Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage 等。 }w|a^=HAp  
偵測的到亮點之情況： ?l/$cO  
會產(chǎn)生亮點的缺點 - Junction Leakage; Contact spiking; Hot electrons; Latch-Up; Gate oxide defects / Leakage(F-N current); Poly-silicon filaments; Substrate damage; Mechanical damage及Junction Avalanche等。 xG7/[ jG  
原來就會有的亮點 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse biased diodes(break down) 等