今天從中國科學(xué)院金屬研究所獲悉，該所沈陽材料科學(xué)國家研究中心先進(jìn)炭材料研究部科研人員首次制備出以肖特基結(jié)作為發(fā)射結(jié)的垂直結(jié)構(gòu)晶體管“硅-石墨烯-鍺晶體管”，成功將石墨烯基區(qū)晶體管的延遲時間縮短了1000倍以上，并將其截止頻率由兆赫茲提升至吉赫茲領(lǐng)域。相關(guān)成果已于近日在線發(fā)表于國際學(xué)術(shù)期刊《自然？通訊》。 f e^s`dsG  
!#olG}#[  
據(jù)該成果論文的通訊作者、中科院金屬所研究員孫東明介紹，這一研究工作提升了石墨烯基區(qū)晶體管的性能，未來將有望在太赫茲領(lǐng)域的高速器件中應(yīng)用，為最終實(shí)現(xiàn)超高速晶體管奠定了基礎(chǔ)。 Skux&'N:  
xAn|OSe  
"4*QA0As  
1947年，第一個雙極結(jié)型晶體管誕生于美國貝爾實(shí)驗(yàn)室，引領(lǐng)人類社會進(jìn)入信息技術(shù)的新篇章。在過去的幾十年里，提高雙極結(jié)型晶體管的工作頻率，成為科學(xué)界的不懈追求，異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管和熱電子晶體管等高速器件相繼被研究報(bào)道。然而，當(dāng)需要進(jìn)一步提高頻率時，這些器件遭遇了瓶頸。異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管的截止頻率，最終被基區(qū)渡越時間所限制，而熱電子晶體管的發(fā)展，則受限于無孔、低阻的超薄金屬基區(qū)的制備難題。 vKkvB;F41  
F[v^43-^_  
石墨烯，這個性能優(yōu)異的二維材料，近年來倍受關(guān)注�？茖W(xué)界提出將石墨烯作為基區(qū)材料制備晶體管，其原子級厚度將消除基區(qū)渡越時間的限制，同時其超高的載流子遷移率也有助于實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的低阻基區(qū)。 +@@(