失效分析常用方法 j{vzCRa>8  
　　1、 C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無(wú)損檢查:１.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國(guó) F~B8XUa3  
　　2、 X－Ray（這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國(guó)Fein G`pI{_-e  
　　微焦點(diǎn)Xray用途：半導(dǎo)體BGA，線路板等內(nèi)部位移的分析 ；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷.　參數(shù)：標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)分辨率＜500納米 ； 幾何放大倍數(shù): 2000 倍 最大放大倍數(shù): 10000倍 ；　輻射小: 每小時(shí)低于1 μSv ； 電壓: 160 KV, 開放式射線管設(shè)計(jì) `{