201) Short Channel Effect  短通道效應(yīng) +0XL5('2  
當(dāng)MOS組件愈小，信道的長度將隨之縮短，電晶體的操作速度將加快，但是，MOS電晶體 zoZ<)x=;  
的通道長度并不能無限制縮減，當(dāng)長度縮短到一定的程度之后，各種因通道長度變小所衍生的問題便會發(fā)生，這個現(xiàn)象稱為“短通道效應(yīng)”。 DX
}B0B  
202) Selectivity選擇性 iq"ob8.  
兩種材抖，分別以相同的酸液或電漿作蝕刻其兩蝕刻率的比值，謂之: E X%6''ys  
例如，復(fù)晶電漿蝕： *jk3 \KaoV  
        對復(fù)晶的蝕刻率為2OO0Å /min (分)  hv+|s(  
        對氧化層的蝕刻率為20OÅ /min (分) b?_e+:\UV  
        則復(fù)晶對氧化層的選擇性:S B_{HkQ.PW  
               20OO Å/min M1oPOC\0.  
         S=                   ＝10 3k#[(phk  
                2OO Å/min #D+7TWDwNt  
_om0 e=5)  
選擇性愈高表示蝕刻特性愈好，一般干式蝕刻選擇性較化學(xué)濕蝕刻為差，吾人取較高的選擇性的目的即在于電漿蝕刻專心蝕刻該蝕刻的氧化層，而不會傷害到上層光阻或下層氧化層，以確保蝕刻的完整性。 M.>^{n$ z  
203) Silicide硅化物 &v^!y=Bt  
       一般稱為硅化物 (Silicide)，指耐火金屬 (Refratory Metal)的硅化物，如鈦 v*E(/}<v  
(Ti)、鎢(W)、鉬 (Mo)等元素硅(Si)結(jié)合而成的化合物 (TiSi₂、WSi₂、MoSi₂)。 >i "qMZ  
硅化物應(yīng)用在組件的目的，主要為降低金屬與硅界面、閘極或晶體管串連的阻抗，以增加組件的性能。以鈦的硅化物為例，其制造流程如下所示：

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1T ( u  
fUC9-?(K  
204) Silicide金屬硅化物 jY7=mAd  
         "Silicide"通常指金屬硅化物，為金屬輿硅的化合物。在微電子工業(yè)硅晶集成電路中主要用為： \K}-I  
(1) 導(dǎo)體接觸(Ohmic Contact) eR:b=%T8  
           (2) 單向能阻接觸(Schottky Barrier Contact) YT>KJ  
(3) 低阻閘極(Gate Electrode) qG<7hr@x]  
           (4) 組件間通路(Interconnect) l)4O .