問(wèn)：幫我看下TO-220，CTCT500后 IDSS BVDSS失效，分析有一顆芯片表面有類似燒傷，其余未見(jiàn)異常，這種封裝上還有什么可能會(huì)造成呢？ :\C/mT3xL)  
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答：以下供你參考，可以重點(diǎn)考慮粘片工藝控制過(guò)程造成異常。（塑封料與引線框架分層，形成水汽進(jìn)入通路。此模式短期內(nèi)可使器件的漏電增大，長(zhǎng)時(shí)間可以引起電極電化學(xué)腐蝕。） wYDdy gS  
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TO220封裝的芯片背面電極與引線框架的物理連接及電連接是通過(guò)粘片工藝實(shí)現(xiàn)的。粘片工藝實(shí)現(xiàn)情況的好壞直接影響到器件的參數(shù)與可靠性，特別是對(duì)于功率器件的影響更加明顯。對(duì)于TO-220、TO-263封裝的功率型器件而言，現(xiàn)在一般采用融點(diǎn)焊錫絲，焊錫拍扁成型，芯片放置，焊錫冷卻成型等幾個(gè)步驟來(lái)實(shí)現(xiàn)粘片工藝。 0Hx'C^m72  
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我們發(fā)現(xiàn)器件生產(chǎn)中或者器件可靠性的多種失效模式都產(chǎn)生于粘片工藝。我們認(rèn)為以下缺陷與粘片工藝有關(guān)： 79I"F'  
a、焊料縮錫， m
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b、焊料空洞率高， `6BQ6)7  
c、焊料熱疲勞能力差， ~S$ex,~  
d、芯片背裂。 b;nqhO[f}  
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塑封料與引線框架、芯片分層，以及在各種應(yīng)力條件下分層情況加重是塑封器件的最重要的失效模式之一。塑封分層可引起器件的多種失效，一般有以下幾種： KUC%Da3  
a、塑封料與引線框架分層，形成水汽進(jìn)入通路。此模式短期內(nèi)可使器件的漏電增大，長(zhǎng)時(shí)間可以引起電極電化學(xué)腐蝕。 deJ/3\t  
b、塑封料與碳化硅二芯片表面分層，可以使鍵合點(diǎn)與芯片金屬層分離，或者接觸不良，引起器件失效。 h>p,r\X  
c、在塑封料與引線框架分層的條件下，某些外力作用于器件，可以使芯片分層（芯片底部的襯底開(kāi)裂）或者使焊料分層，使器件的正向電壓異常升高。 ],vid1E  
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器件受到以下幾種應(yīng)力時(shí)，分層情況可能加�。� 5bd4
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a、器件安裝時(shí)受到的機(jī)械或者熱應(yīng)力。 -:~z,F  
b、器件受到一定物理沖擊。例如跌落或者其他對(duì)背面散熱片的物理沖擊。在大量的產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程中遇到過(guò)多次此種現(xiàn)象。此種可能容易被忽略。 B1]FB|0's  
c、溫度沖擊，主要指一些使用環(huán)境溫度的急速變化。芯片、焊料、鍵合絲、塑封料、引線框架等的材質(zhì)不同，其線膨脹系數(shù)不同，在溫度變化時(shí)各部分間都會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力使分層現(xiàn)象加劇。