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芯片失效分析檢測方法匯總 VMw[M^  
失效分析 趙工 3z -="_p  
　　1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒．夾雜物．沉淀物．2.內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 (1)b> 6  
　　2 、X－Ray（這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein o':K4r;  
　　微焦點(diǎn)Xray用途：半導(dǎo)體BGA，線路板等內(nèi)部位移的分析 ；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷.　參數(shù)：標(biāo)準(zhǔn)檢測分辨率＜500納米；幾何放大倍數(shù): 2000 倍 最大放大倍數(shù): 10000倍 ；　輻射小: 每小時(shí)低于1 μSv ；電壓: 160 KV, 開放式射線管設(shè)計(jì) bZu2.?{  
　　防碰撞設(shè)計(jì)；BGA和SMT（QFP）自動(dòng)分析軟件，空隙計(jì)算軟件，通用缺陷自動(dòng)識別軟件和視頻記錄。這些特點(diǎn)非常適合進(jìn)行各種二維檢測和三維微焦點(diǎn)計(jì)算機(jī)斷層掃描(μCT)應(yīng)用。 Vsd4;  
　　Fein微焦點(diǎn)X射線（德國） vGchKN~_  
　　Y.COUGAR F/A系列可選配樣品旋轉(zhuǎn)360度和傾斜60度裝置。 fHXz{,?/w  
　　Y.COUGAR SMT 系列配置140度傾斜軸樣品，選配360度旋轉(zhuǎn)臺 R{q<V uN  
　　3 、SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀（材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察，元素組成常規(guī)微區(qū)分析，精確測量元器件尺寸）,日本電子 SyIi*dH  
　　4 、EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試/LC 液晶熱點(diǎn)偵測(這三者屬于常用漏電流路徑分析手段,尋找發(fā)熱點(diǎn)，LC要借助探針臺，示波器）  jRhRw;  
　　5 、FIB 線路修改，切線連線，切點(diǎn)觀測，TEM制樣，精密厚度測量等 gQuU_dbXSB  
　　6 、Probe Station 探針臺/Probing Test 探針測試，ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測試（有些客戶是在芯片流入客戶端之前就進(jìn)行這兩項(xiàng)可靠度測試，有些客戶是失效發(fā)生后才想到要篩取良片送驗(yàn)）這些已經(jīng)提到了多數(shù)常用手段。失效分析前還有一些必要的樣品處理過程。 n,Q^M$mS0  
    7 、取die,decap（開封，開帽）,研磨,去金球 De-gold bump,去層,染色等，有些也需要相應(yīng)的儀器機(jī)臺，SEM可以查看die表面，SAM以及X－Ray觀察封裝內(nèi)部情況以及分層失效。 69N8COLB  
　　除了常用手段之外還有其他一些失效分析手段，原子力顯微鏡AFM ,二次離子質(zhì)譜 SIMS,飛行時(shí)間質(zhì)譜TOF－ SIMS ,透射電鏡TEM , 場發(fā)射電鏡,場發(fā)射掃描俄歇探針, X 光電子能譜XPS ,L-I-V測試系統(tǒng)，能量損失 X 光微區(qū)分析系統(tǒng)等很多手段，不過這些項(xiàng)目不是很常用。 g:Fo7*i  
芯片失效分析步驟: spma\,o  
    1、非破壞性分析：主要是超聲波掃描顯微鏡（C-SAM）--看有沒delamination，xray--看內(nèi)部結(jié)構(gòu)，等等； 3 ]w a8|  
    2 、電測：主要工具，萬用表，示波器，sony tek370a，現(xiàn)在好象是370b了； kg^5D3!2{Q  
    3 、破壞性分析：機(jī)械decap，化學(xué) decap芯片開封機(jī) <"nF`'olV  
　　半導(dǎo)體器件芯片失效分析 芯片內(nèi)部分層，孔洞氣泡失效分析 @*iT%p_L  
　　C-SAM的叫法很多有，掃描聲波顯微鏡或聲掃描顯微鏡或掃描聲學(xué)顯微鏡或超聲波掃描顯微鏡(Scanningacoustic microscope）總概c-sam(sat)測試。 QsyM[;