SQx&4R.  
qn |~YXn  
聚焦離子束顯微鏡FIB AR$SQ_4  
聚焦離子束 "QiLu=Rq  
FIB（聚焦離子束，ed Ion beam)是將液態(tài)金屬(大多數(shù)FIB都用Ga)離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過(guò)離子槍加速,聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號(hào)取得電子像.此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似,或用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離,以完成微、納米級(jí)表面形貌加工.通常是以物理濺射的方式搭配化學(xué)氣體反應(yīng)，有選擇性的剝除金屬,氧化硅層或沉積金屬層。 'lu3BQvfh  
中文名 O(D2F$VlL  
聚焦離子束 e:C4f  
外文名 HXZ,"S  
FIB、ed Ion Beam .|s,':hA  
R*S:/s  
應(yīng)用范圍： h@(+(fVHrp  
1.IC芯片電路修改 x)eoz2E1  
2.Cross-Section 截面分析
,j.bdlI#  
3.Probing Pad &%t&[Se_~  
4.FIB透射電鏡樣品制備 Nv6"c<(L=  
5.材料鑒定 DGS,iRLnA  
應(yīng)用 Eciu^  
IC芯片電路修改等 Vi}E9I4  
FIB技術(shù)的在芯片設(shè)計(jì)及加工過(guò)程中的應(yīng)用介紹： &Vgpv#&Cfx  
1.IC芯片電路修改 6qT-  
用FIB對(duì)芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對(duì)芯片問(wèn)題處作針對(duì)性的測(cè)試,以便更快更準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。若芯片部份區(qū)域有問(wèn)題,可通過(guò)FIB對(duì)此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問(wèn)題的癥結(jié)。 v+SdjFAY  
FIB還能在最終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時(shí)間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù)，縮短研發(fā)時(shí)間和周期。 
~oT*@  
2.Cross-Section 截面分析 jh`[Y7RJO  
用FIB在IC芯片特定位置作截面斷層,以便觀測(cè)材料的截面結(jié)構(gòu)與材質(zhì),定點(diǎn)分析芯片結(jié)構(gòu)缺陷。 Q {BA`Q@V  
3.Probing Pad kY{$[+-jR  
在復(fù)雜IC線路中任意位置引出測(cè)試點(diǎn), 以便進(jìn)一步使用探針臺(tái)(Probe- station) 或 E-beam 直接觀測(cè)IC內(nèi)部信號(hào)。 #k`gm)|  
4.FIB透射電鏡樣品制備 F