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半導(dǎo)體術(shù)語含義（一） 1) Acetone 丙酮 丙酮是有機(jī)溶劑的一種，分子式為CH3COCH3 性質(zhì)：無色，具剌激性薄荷臭味的液體 用途：在FAB內(nèi)的用途，主要在于黃光室內(nèi)正光阻的清洗、擦拭 毒性：對(duì)神經(jīng)中樞具中度麻醉性，對(duì)皮膚粘膜具輕微毒性，長(zhǎng)期接觸會(huì)引起皮膚炎，吸入過量的丙酮蒸氣會(huì)刺激鼻、眼結(jié)膜、咽喉粘膜、甚至引起頭痛、惡心、嘔吐、目眩、意識(shí)不明等。 允許濃度：1000ppm 2) Active Area 主動(dòng)區(qū)域 MOS核心區(qū)域，即源，汲，閘極區(qū)域 3) AEI蝕刻后檢查 （1） AEI 即After Etching Inspection，在蝕刻制程光阻去除前和光阻去除后，分別對(duì)產(chǎn)品實(shí)施主檢或抽樣檢查。 （2） AEI的目的有四： 提高產(chǎn)品良率，避免不良品外流。 達(dá)到品質(zhì)的一致性和制程的重復(fù)性。 顯示制程能力的指標(biāo)。 防止異常擴(kuò)大，節(jié)省成本 （3） 通常AEI檢查出來的不良品，非必要時(shí)很少做修改。因?yàn)槌パ趸瘜踊蛑亻L(zhǎng)氧化層可能造成組件特性改變可靠性變差、缺點(diǎn)密度增加。生產(chǎn)成本增高，以及良率降低的缺點(diǎn)。 4） Al-Cu-Si 鋁硅銅 金屬濺鍍時(shí)所使用的原料名稱，通常是稱為Target，其成份為0.5%銅，1%硅及98.5%鋁，一般制程通常是使用99%鋁 1%硅．后來為了金屬電荷遷移現(xiàn)象(Electromigration) 故滲加0.5%銅降低金屬電荷遷移 5） Alkaline Ions 堿金屬雕子 如Na+，K+，破壞氧化層完整性，增加漏電密度，減小少子壽命，引起移動(dòng)電荷，影響器件穩(wěn)定性。其主要來源是：爐管的石英材料，制程氣體及光阻等不純物。 6） Alloy 合金 半導(dǎo)體制程在蝕刻出金屬連線后，必須加強(qiáng)Al與SiO2間inteRFace的緊密度，故進(jìn)行Alloy步驟，以450℃作用30min，增加Al與Si的緊密程度，防止Al層的剝落及減少歐姆接觸的電阻值，使RC的值盡量減少。 7） Aluminum 鋁 一種金屬元素，質(zhì)地堅(jiān)韌而輕，有延展性，容易導(dǎo)電。普遍用于半導(dǎo)體器件間的金屬連線，但因其易引起spike及Electromigration，故實(shí)際中會(huì)在其中加入適量的Cu或Si 8） Anneal 回火 又稱退火：也叫熱處理，集成電路工藝中所有的在氮?dú)獾炔换顫姎夥罩羞M(jìn)行的熱處理過程都可以稱為退火。 a) 激活雜質(zhì)：使不在晶格位置上的離子運(yùn)動(dòng)到晶格位置，以便具有電活性，產(chǎn)生自由載流子，起到雜質(zhì)的作用。 b) 消除損傷：離子植入后回火是為了修復(fù)因高能加速的離子直接打入芯片而產(chǎn)生的損毀區(qū)（進(jìn)入底材中的離子行進(jìn)中將硅原子撞離原來的晶格位置，致使晶體的特性改變）。而這種損毀區(qū)，經(jīng)過回火的熱處理后即可復(fù)原。這種熱處理的回火功能可利用其溫度、時(shí)間差異來控制全部或局部的活化植入離子的功能 c) 氧化制程中的回火主要是為了降低界面態(tài)電荷，降低SiO2的晶格結(jié)構(gòu) 退火方式： Ø 爐退火 Ø 快速退火：脈沖激光法、掃描電子束、連續(xù)波激光、非相干寬帶頻光源(如鹵光燈、電弧燈、石墨加熱器、紅外設(shè)備等) 9） Angstrom 埃(Å) 是一個(gè)長(zhǎng)度單位，1Å=10-10米,其大小為1公尺的佰億分之一，約人的頭發(fā)寬度的伍拾萬分之一。此單位常用于IC制程上，表示膜層(如SiO2，POLY，SIN‥)厚度時(shí)用 10） Argon 氬氣 11） Arc Chamber 弧光反應(yīng)室 弧光反應(yīng)室,事實(shí)上就是一個(gè)直流式的電漿產(chǎn)生器。因?yàn)樗僮鞯碾娏鳎瓕?duì)－電壓的區(qū)域是在弧光電漿內(nèi)。 12） APM( Ammonia , hydrogen-Peroxide Mixing ) 又稱 SC-1 ( Standard Cleaning solution - 1 )主要化學(xué)試劑是NH4OH/H2O2/D.I .water,常用比率為1：1：6。能有效去處除無機(jī)顆粒，有機(jī)沉淀及若干金屬玷污，去除顆粒能力隨NH4OH增加而增加。 13） Backing Pump 輔抽泵 在高真空系統(tǒng)中，要想很快建立我們所需的高真空，單純靠高真空泵是不行的（因高真空泵啟動(dòng)時(shí)系統(tǒng)必須已經(jīng)在低真空條件下），所以我們?cè)谙到y(tǒng)中加入一個(gè)輔抽泵（如油泵）,先對(duì)系統(tǒng)建立初真空，再由高真空泵對(duì)系統(tǒng)建立高真空。 14） Bake, Soft bake, Hard bake烘培、軟烤、預(yù)烤 烘烤（Bake）:在集成電路芯片的制造過程中，將芯片置于稍高溫 (60oC~250oC)的烘箱或熱板上均可謂之烘烤。隨其目的不同，可區(qū)分為軟烤(Soft bake)與預(yù)烤(Hard bake)。 軟烤(Soft bake) :其使用時(shí)機(jī)是在上完光阻后，主要目的是為了將光阻中的溶劑蒸發(fā)去除，并且可增加光阻與芯片的附著力。 預(yù)烤(Hard bake):又稱為蝕刻前烘烤(pre-etch bake)，主要目的為去除水氣，增加光阻附著性，尤其在濕蝕刻(wet etching)更為重要，預(yù)烤不完全常會(huì)造成過蝕刻。 15） Barrier Layer 阻障層 為了防止鋁合金與硅的的接觸界面發(fā)生尖峰（spiking）現(xiàn)象，并降低彼此的接觸電阻，在鋁合金與硅之間加入一層稱為阻障層的導(dǎo)體材料，常見的有Ti/TiN及TiW。 16） BB ：Bird's Beak 鳥嘴 在用Si3N4作為掩膜制作field oxide時(shí)，在Si3N4覆蓋區(qū)的邊緣，由于氧或水氣會(huì)透過Pad Oxide Layer擴(kuò)散至Si-Substrate表面而形成SiO2，因此Si3N4邊緣向內(nèi)會(huì)產(chǎn)生一個(gè)鳥嘴狀的氧化層，即所謂的Bird's Beak。其大小與坡度可由改變Si3N4與Pad Oxide的厚度比及Field Oxidation的溫度與厚度來控制 file:///C:\Users\bstc\AppData\Local\Temp\ksohtml1336\wps107.jpg 17） Boat 晶舟 Boat原意是單木舟。在半導(dǎo)體IC制造過程中，常需要用一種工具作芯片傳送及加工，這種承載芯片的工具，我們稱之為Boat。一般Boat有兩種材質(zhì)，一是石英（Quartz），另一碳化硅（SiC）。SiC Boat用在溫度較高(Drive in)及LPSiN的場(chǎng)合。 18） BOE(Buffer Oxide Etching) B. O. E.是HF與NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蝕刻即表示HF: NH4F =l:6的成份混合而成。HF為主要的蝕刻液，NH4F則做為緩沖劑使用。利用NH4F固定[H']的濃度，使之保持一定的蝕刻率。 HF會(huì)侵蝕玻璃及任何硅石的物質(zhì)，對(duì)皮膚有強(qiáng)烈的腐蝕性，不小心被濺到，應(yīng)用大量沖洗。 19） Boundary Layer 邊界層 假設(shè)流體在芯片表面流速為零，則流體在層流區(qū)及芯片表面將有一個(gè)流速梯度存在，稱為邊界層（Boundary Layer） 20） BPSG(boron-phosphor-silicate-glass) BPSG : 為硼磷硅玻璃，含有B,P元素的SiO2 , 加入B,P可以降低Flow 溫度，并且P吸附一些雜質(zhì)離子，流動(dòng)性比較好，作為ILD的平坦化介質(zhì)。 21） Breakdown Voltage 崩潰電壓 22） Buffer Layer 緩沖層 通常此層沉積于兩個(gè)熱膨脹系數(shù)相差較大的兩層之間,緩沖兩者因直接接觸而產(chǎn)生的應(yīng)力作用。我們制程最常見的緩沖層即SiO2，它用來緩沖SiN4與Si直接接觸產(chǎn)生的應(yīng)力，從而提升Si3N4對(duì)Si表面附著能力 |
