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失效分析原理流程和方法

發(fā)布:探針臺(tái) 2020-02-20 12:38 閱讀:2149
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失效分析原理流程和方法 y)fMVD"(  
失效分析 E ?Mgbd3  
一、失效分析簡(jiǎn)述 z_!IA ] v  
失效分析是一門(mén)新興發(fā)展中的學(xué)科,在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開(kāi)發(fā)、改進(jìn),產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實(shí)際意義。 v-tI`Qpb  
二、開(kāi)展失效分析的意義 SO=gG 2E  
失效分析對(duì)產(chǎn)品的生產(chǎn)和使用都具有重要的意義,失效可能發(fā)生在產(chǎn)品壽命周期的各個(gè)階段,涉及產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)、來(lái)料檢驗(yàn)、加工組裝、測(cè)試篩選、客戶端使用等各個(gè)環(huán)節(jié),通過(guò)分析工藝廢次品、早期失效、試驗(yàn)失效、中試失效以及現(xiàn)場(chǎng)失效的樣品,確認(rèn)失效模式、分析失效機(jī)理,明確失效原因,最終給出預(yù)防對(duì)策,減少或避免失效的再次發(fā)生。 :$$~$P  
三、失效分析流程: PjeI&@  
1)失效背景調(diào)查:產(chǎn)品失效現(xiàn)象?失效環(huán)境?失效階段(設(shè)計(jì)調(diào)試、中試、早期失效、中期失效等等)?失效比例?失效歷史數(shù)據(jù)? gS5REC4I/  
2)非破壞分析:X射線透視檢查、超聲掃描檢查、電性能測(cè)試、形貌檢查、局部成分分析等。 6u0>3-[6OD  
3)破壞性分析:開(kāi)封檢查、剖面分析、探針測(cè)試、聚焦離子束分析、熱性能測(cè)試、體成分測(cè)試、機(jī)械性能測(cè)試等。 q< XFw-Pv  
4)使用條件分析:結(jié)構(gòu)分析、力學(xué)分析、熱學(xué)分析、環(huán)境條件、約束條件等綜合分析。 4<i#TCGex3  
5)模擬驗(yàn)證實(shí)驗(yàn):根據(jù)分析所得失效機(jī)理設(shè)計(jì)模擬實(shí)驗(yàn),對(duì)失效機(jī)理進(jìn)行驗(yàn)證。 WR{m?neE_N  
注:失效發(fā)生時(shí)的現(xiàn)場(chǎng)和樣品務(wù)必進(jìn)行細(xì)致保護(hù),避免力、熱、電等方面因素的二次傷害。 uQIPnd(V  
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失效分析屬于芯片反向工程開(kāi)發(fā)范疇。龍人芯片失效分析主要提供封裝去除、層次去除、芯片染色、芯片拍照、大圖彩印、電路修改等技術(shù)服務(wù)項(xiàng)目。公司專門(mén)設(shè)立有集成電路失效分析實(shí)驗(yàn)室,配備了國(guó)外先進(jìn)的等離子蝕刻機(jī)(RIE)、光學(xué)顯微鏡、電子顯微鏡(SEM)和聚焦離子束機(jī)(FIB)等設(shè)備,滿足各項(xiàng)失效分析服務(wù)的要求。 Y"H`+UV  
   公司擁有一套完善的失效分析流程及多種分析手段,全方位保證工程質(zhì)量及項(xiàng)目文件的準(zhǔn)確無(wú)誤。 TQ]gvi |m  
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失效分析流程: "[N2qJ}p  
1、外觀檢查,識(shí)別crack,burnt mark等問(wèn)題,拍照。 ;OlnIxH(W  
2、非破壞性分析:主要用xray查看內(nèi)部結(jié)構(gòu),csam—查看是否存在delamination )Ka-vX)D@  
3、進(jìn)行電測(cè)。 rGP;0KtQ  
4、進(jìn)行破壞性分析:即機(jī)械機(jī)械decap或化學(xué)decap等 < D/K[mz-  
芯片失效分析實(shí)驗(yàn)室介紹,能夠依據(jù)國(guó)際、國(guó)內(nèi)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施檢測(cè)工作,開(kāi)展從底層芯片到實(shí)際產(chǎn)品,從物理到邏輯全面的檢測(cè)工作,提供芯片預(yù)處理、側(cè)信道攻擊、光攻擊、侵入式攻擊、環(huán)境、電壓毛刺攻擊、電磁注入、放射線注入、物理安全、邏輯安全、功能、兼容性和多點(diǎn)激光注入等安全檢測(cè)服務(wù),同時(shí)可開(kāi)展模擬重現(xiàn)智能產(chǎn)品失效的現(xiàn)象,找出失效原因的失效分析檢測(cè)服務(wù),主要包括點(diǎn)針工作站(Probe Station)、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)、微漏電偵測(cè)系統(tǒng)(EMMI)、X-Ray檢測(cè),缺陷切割觀察系統(tǒng)(FIB系統(tǒng))等檢測(cè)試驗(yàn)。實(shí)現(xiàn)對(duì)智能產(chǎn)品質(zhì)量的評(píng)估及分析,為智能裝備產(chǎn)品的芯片、嵌入式軟件以及應(yīng)用提供質(zhì)量保證。 SBreA-2  
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國(guó)家應(yīng)用軟件產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心 N1Vj;-  
北京軟件產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)檢驗(yàn)中心 uge r:cD  
智能產(chǎn)品檢測(cè)部 9;+&}:IVS  
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