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失效分析樣品準備： =0Nd\  
失效分析 趙工 半導體元器件失效分析可靠性測試 1月6日 /as1  
失效分析樣品準備：
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失效分析是芯片測試重要環(huán)節(jié)，無論對于量產(chǎn)樣品還是設計環(huán)節(jié)亦或是客退品，失效分析可以幫助降低成本，縮短周期。 g;-CAd5  
常見的失效分析方法有Decap，X-RAY，IV，EMMI，F(xiàn)IB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，因為失效分析設備昂貴，大部分需求單位配不了或配不齊需要的設備，因此借用外力，使用對外開放的資源，來完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測試時需要準備的信息有哪些呢？下面為大家整理一下： L"IdD5`7T  
一、decap：寫清樣品尺寸，數(shù)量，封裝形式，材質(zhì)，開封要求（若在pcb板上，最好提前拆下，pcb板子面較大有突起，會影響對芯片的保護）后續(xù)試驗。 (*|hlD~  
1.IC開封（正面/背面） QFP， QFN， SOT，TO， DIP，BGA，COB等 hE>Mo$Q(  
2.樣品減�。ㄌ沾�，金屬除外） s)}C&T$Y.  
3.激光打標 HxkhlNB  
4.芯片開封（正面/背面） ]86U-`p  
5.IC蝕刻，塑封體去除 uoF9&j5E@Z  
二、X-RAY：寫清樣品尺寸，數(shù)量，材質(zhì)（密度大的可以看到，密度小的直接穿透），重點觀察區(qū)域，精度。 Mq$e5&/  
1.觀測DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板 *r%=p/oQ}B  
2.觀測器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況 y$!~</=b  
3.觀測芯片crack、點膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝 !.9NJ2'8  
缺陷，以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷 Ra.<D.  
三、IV：寫清管腳數(shù)量，封裝形式，加電方式，電壓電流限制范圍。實驗人員需要提前確認搭建適合的分析環(huán)境，若樣品不適合就不用白跑一趟了。 ZMbv1*Vt  
1.Open/Short Test {4 *ob@w*  
2.I/V Curve Analysis m+CvU?)gJ  
3.Idd Measuring }E*#VA0/nY  
4.Powered Leakage（漏電）Test w!h!%r  
四、EMMI：寫清樣品加電方式，電壓電流，是否是裸die，是否已經(jīng)開封，特殊要求等，EMMI是加電測試，可以連接各種源表，確認加電要求，若實驗室沒有適合的源表，可以自帶，避免做無用功。