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芯片失效分析方法

發(fā)布：探針臺 2020-03-13 14:14 閱讀：2327
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芯片失效分析檢測方法匯總 \W:~;GMeD  
失效分析 趙工 RE 6d&#N  
　　1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內部的晶格結構，雜質顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 mhpaPin*JS  
　　2 、X－Ray（這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein ,aq0Q<}~lc  
　　微焦點Xray用途：半導體BGA，線路板等內部位移的分析 ；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷.　參數：標準檢測分辨率＜500納米 ；幾何放大倍數: 2000 倍 最大放大倍數: 10000倍 ；　輻射小: 每小時低于1 μSv ；電壓: 160 KV, 開放式射線管設計 }g&A=u_2  
　　防碰撞設計；BGA和SMT（QFP）自動分析軟件，空隙計算軟件，通用缺陷自動識別軟件和視頻記錄。這些特點非常適合進行各種二維檢測和三維微焦點計算機斷層掃描(μCT)應用。 R+}7]tva6C  
　　Fein微焦點X射線（德國） KsVN<eR{  
　　Y.COUGAR F/A系列可選配樣品旋轉360度和傾斜60度裝置。 uI lm!*0  
　　Y.COUGAR SMT 系列配置140度傾斜軸樣品，選配360度旋轉臺 ~?E.U,R  
　　3 、SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀（材料結構分析/缺陷觀察，元素組成常規(guī)微區(qū)分析，精確測量元器件尺寸）, 日本電子 qJN!L))  
　　4 、EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試/LC 液晶熱點偵測(這三者屬于常用漏電流路徑分析手段,尋找發(fā)熱點，LC要借助探針臺，示波器） -