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    [討論]光刻機(jī)，中國(guó)制造得出來(lái)嗎？ [復(fù)制鏈接]

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    離線ds1234567
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    只看該作者 40樓 發(fā)表于: 2020-06-02
    華為能等10年嗎？
    離線ds1234567
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    只看該作者 41樓 發(fā)表于: 2020-06-03
    看斗音后，上網(wǎng)查到的結(jié)果。轉(zhuǎn)載如下： wMPw/a;  
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    [ 此帖被ds1234567在2020-06-03 18:19重新編輯 ]
    離線ds1234567
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    只看該作者 42樓 發(fā)表于: 2020-06-03
    最近小編在某音上看見(jiàn)一篇消息，上面說(shuō)硅谷芯片“大神”尹志堯回國(guó)，帶回30多位芯片人才，60多項(xiàng)個(gè)人專(zhuān)利，以及5nm刻蝕機(jī)。這一條小時(shí)得到了19W多的點(diǎn)贊，2萬(wàn)條留言，里面那么這條信息是真的還是假的呢？ /z:K#  
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    首先這件事是不是真的？這件事是真的，不過(guò)不是現(xiàn)在，而是2004年就回國(guó)了�？梢哉f(shuō)是一篇炒的不能再炒的“冷飯”。只是再這個(gè)特殊時(shí)期誤導(dǎo)了網(wǎng)上的小伙伴。 &[5az/Hj*  
    那么誰(shuí)是尹志堯呢？可以說(shuō)他曾經(jīng)被美國(guó)稱(chēng)之為“硅谷之神”來(lái)形容，1978-1980年，在北京大學(xué)化學(xué)系攻讀碩士，1980年，前往加利福尼亞大學(xué)洛杉磯分校留學(xué)，并獲得物理化學(xué)博士學(xué)位，1984年，在硅谷Intel公司、LAM研究所、應(yīng)用材料公司等電漿蝕刻供職16年。尹志堯曾發(fā)起硅谷中國(guó)工程師協(xié)會(huì)并擔(dān)任主席�？梢哉f(shuō)對(duì)于手機(jī)芯片的刻蝕技術(shù)有著杰出的貢獻(xiàn)。并且尹志堯個(gè)人在半導(dǎo)體領(lǐng)域就有16項(xiàng)個(gè)人專(zhuān)利。 c.v)M\:  
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    有一次在世界半導(dǎo)體展覽會(huì)上，尹志堯偶遇上海經(jīng)貿(mào)委副主任江上舟。江上舟仔細(xì)觀看了美國(guó)的應(yīng)用材料設(shè)備以后說(shuō)：看來(lái)刻蝕機(jī)比原子彈還要復(fù)雜，外國(guó)人用它來(lái)卡住我們的脖子，我們自己能不能把他造出來(lái)？ vrbh+  
    于是尹志堯在江上舟的鼓勵(lì)下，與2004年8月回國(guó)，當(dāng)時(shí)的尹志堯已經(jīng)年過(guò)60，并且說(shuō)服了一大批在硅谷當(dāng)中正在做主流的半導(dǎo)體設(shè)備公司以及研究機(jī)構(gòu)工作多年的華裔工程師。一起志同道合的人創(chuàng)辦了中微半導(dǎo)體。 0{F.DDiNT  
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    當(dāng)時(shí)尹志堯有一個(gè)目標(biāo)，要用15年追趕，20年超越，直到2018年12月份的時(shí)候中微公司宣布5nm刻蝕技術(shù)。距離他當(dāng)時(shí)定下的目標(biāo)的時(shí)候已經(jīng)用了14年之久。而5nm刻蝕機(jī)是光刻機(jī)嗎？讓網(wǎng)友那么興奮，其實(shí)根本就不是一回事。 g"Bv!9*H  
    Q,`kfxA`O  
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    昨天小編寫(xiě)過(guò)一篇芯片的制造過(guò)程，在這小編在簡(jiǎn)單的說(shuō)一下，手機(jī)芯片制造過(guò)程可分為前道工序晶圓制造、后道工序封裝與檢測(cè)等。因生產(chǎn)工藝復(fù)雜，工序繁多，所以生產(chǎn)制造過(guò)程當(dāng)中需要種類(lèi)繁多的設(shè)備。 `l"~"x^Rr  
    在晶圓制造中，就有七大生產(chǎn)鏈條，分別是擴(kuò)散（Thermal Process）、光刻（Photo- lithography）、刻蝕（Etch）、離子注入（Ion Implant）、薄膜生長(zhǎng)（Dielectric DeposiTIon）、拋光（CMP）、金屬化（MetalizaTIon），所對(duì)應(yīng)的七大類(lèi)生產(chǎn)鏈條設(shè)備分別為擴(kuò)散爐、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、薄膜沉積設(shè)備、化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)和清洗機(jī)。 vE(Hy&Q&  
    在晶圓制造中，由于光刻、刻蝕、沉積等流程在芯片生產(chǎn)過(guò)程中需要20到50次的反復(fù)制作，是芯片前端加工過(guò)程的三大核心技術(shù)，其設(shè)備價(jià)值也最高。 e_V(G  
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    光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來(lái)。類(lèi)似照相機(jī)照相。照相機(jī)拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，是電路圖和其他電子元件，比如麒麟990擁有103億的晶體管，是怎么安裝上去的呢？其實(shí)晶體管是用光刻技術(shù)雕刻出來(lái)的。 |=s3a5sl  
    刻蝕是使用化學(xué)或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料。主要有2種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。目前主流所用的是干法刻蝕工藝，利用干法刻蝕工藝的就叫等離子體刻蝕機(jī)。 MzD0F#Y  
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    而芯片制造過(guò)程中需要多種類(lèi)型的干法刻蝕工藝，應(yīng)用涉及硅片上各種材料。蝕刻機(jī)也分為三大類(lèi)，分別是介質(zhì)刻蝕機(jī)（CCP 電容耦合）、硅刻蝕機(jī)（ICP 電感耦合）、金屬刻蝕機(jī)（ ECR 電子回旋加速振蕩），這主要是因?yàn)殡娙菪缘入x子體刻蝕設(shè)備在以等離子體在較硬的介質(zhì)材料（氧化物、氮化物等硬度髙、需要髙能量離子反應(yīng)刻蝕的介質(zhì)材料；有機(jī)掩模材料）上，刻蝕通孔、溝槽等微觀結(jié)構(gòu)；電感性等離子體刻蝕設(shè)備主要以等離子體在較軟和較薄的材料（單晶硅、多晶硅等材料）上，刻蝕通孔、溝槽等微觀結(jié)構(gòu)。 ny=iAZM>q  
    電子回旋加速振蕩等離子體刻蝕設(shè)備主要應(yīng)用于金屬互連線、通孔、接觸金屬等環(huán)節(jié)。金屬互連線通常會(huì)采用鋁合金，對(duì)鋁的刻蝕采用氯基氣體和部分聚合物。鎢在多層金屬結(jié)構(gòu)中常用作通孔的填充物，通常采用氟基或氯基氣體。 Gj