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    [討論]光刻機，中國制造得出來嗎？ [復制鏈接]

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    離線ds1234567
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    只看該作者 40樓 發(fā)表于: 2020-06-02
    華為能等10年嗎？
    離線ds1234567
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    只看該作者 41樓 發(fā)表于: 2020-06-03
    看斗音后，上網查到的結果。轉載如下： QX%m4K/a  
    j,/o0k,  
    vCH>Fj"7  
    [ 此帖被ds1234567在2020-06-03 18:19重新編輯 ]
    離線ds1234567
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    只看該作者 42樓 發(fā)表于: 2020-06-03
    最近小編在某音上看見一篇消息，上面說硅谷芯片“大神”尹志堯回國，帶回30多位芯片人才，60多項個人專利，以及5nm刻蝕機。這一條小時得到了19W多的點贊，2萬條留言，里面那么這條信息是真的還是假的呢？ *=sU+x&X  
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    首先這件事是不是真的？這件事是真的，不過不是現在，而是2004年就回國了�？梢哉f是一篇炒的不能再炒的“冷飯”。只是再這個特殊時期誤導了網上的小伙伴。 NKB! _R+  
    那么誰是尹志堯呢？可以說他曾經被美國稱之為“硅谷之神”來形容，1978-1980年，在北京大學化學系攻讀碩士，1980年，前往加利福尼亞大學洛杉磯分校留學，并獲得物理化學博士學位，1984年，在硅谷Intel公司、LAM研究所、應用材料公司等電漿蝕刻供職16年。尹志堯曾發(fā)起硅谷中國工程師協會并擔任主席�？梢哉f對于手機芯片的刻蝕技術有著杰出的貢獻。并且尹志堯個人在半導體領域就有16項個人專利。 |QzPY8B9O  
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    有一次在世界半導體展覽會上，尹志堯偶遇上海經貿委副主任江上舟。江上舟仔細觀看了美國的應用材料設備以后說：看來刻蝕機比原子彈還要復雜，外國人用它來卡住我們的脖子，我們自己能不能把他造出來？ #15q`w  
    于是尹志堯在江上舟的鼓勵下，與2004年8月回國，當時的尹志堯已經年過60，并且說服了一大批在硅谷當中正在做主流的半導體設備公司以及研究機構工作多年的華裔工程師。一起志同道合的人創(chuàng)辦了中微半導體。 %2L9kw'  
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    當時尹志堯有一個目標，要用15年追趕，20年超越，直到2018年12月份的時候中微公司宣布5nm刻蝕技術。距離他當時定下的目標的時候已經用了14年之久。而5nm刻蝕機是光刻機嗎？讓網友那么興奮，其實根本就不是一回事。 PAc~p8S  
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    昨天小編寫過一篇芯片的制造過程，在這小編在簡單的說一下，手機芯片制造過程可分為前道工序晶圓制造、后道工序封裝與檢測等。因生產工藝復雜，工序繁多，所以生產制造過程當中需要種類繁多的設備。 3{c&%F~!  
    在晶圓制造中，就有七大生產鏈條，分別是擴散（Thermal Process）、光刻（Photo- lithography）、刻蝕（Etch）、離子注入（Ion Implant）、薄膜生長（Dielectric DeposiTIon）、拋光（CMP）、金屬化（MetalizaTIon），所對應的七大類生產鏈條設備分別為擴散爐、光刻機、刻蝕機、離子注入機、薄膜沉積設備、化學機械拋光機和清洗機。 brVT  
    在晶圓制造中，由于光刻、刻蝕、沉積等流程在芯片生產過程中需要20到50次的反復制作，是芯片前端加工過程的三大核心技術，其設備價值也最高。 ]':C~-RV{  
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    光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。類似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，是電路圖和其他電子元件，比如麒麟990擁有103億的晶體管，是怎么安裝上去的呢？其實晶體管是用光刻技術雕刻出來的。 *o>E{  
    刻蝕是使用化學或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料。主要有2種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。目前主流所用的是干法刻蝕工藝，利用干法刻蝕工藝的就叫等離子體刻蝕機。 2 43DdIG$  
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    而芯片制造過程中需要多種類型的干法刻蝕工藝，應用涉及硅片上各種材料。蝕刻機也分為三大類，分別是介質刻蝕機（CCP 電容耦合）、硅刻蝕機（ICP 電感耦合）、金屬刻蝕機（ ECR 電子回旋加速振蕩），這主要是因為電容性等離子體刻蝕設備在以等離子體在較硬的介質材料（氧化物、氮化物等硬度髙、需要髙能量離子反應刻蝕的介質材料；有機掩模材料）上，刻蝕通孔、溝槽等微觀結構；電感性等離子體刻蝕設備主要以等離子體在較軟和較薄的材料（單晶硅、多晶硅等材料）上，刻蝕通孔、溝槽等微觀結構。 P9'5=e@jB  
    電子回旋加速振蕩等離子體刻蝕設備主要應用于金屬互連線、通孔、接觸金屬等環(huán)節(jié)。金屬互連線通常會采用鋁合金，對鋁的刻蝕采用氯基氣體和部分聚合物。鎢在多層金屬結構中常用作通孔的填充物，通常采用氟基或氯基氣體。 awawq9)Y  
    Qz<-xe`o8]  
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    vd ;wQ  
    所以按材料來分，刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質刻蝕、和硅刻蝕，它們彼此的應用并不相同，不能互相替代，因此。通過與光刻、沉積等工藝多次配合可以形成完整的底層電路、柵極、絕緣層以及金屬通路等。 49#-\=<gt  
    整體看硅刻蝕最難，其次介質刻蝕，最簡單的是金屬刻蝕。而從事刻蝕機研發(fā)的企業(yè)就有北方華創(chuàng)和中微。 %sq=lW5R{b  
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    而臺積電目前的5nm芯片技術就是采用的是中微蝕刻技術，可以說在光刻機當中蝕刻技術是全球最為領先的，但只是光刻機的一部分。 MVj@0W33m  
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