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新金屬芯片能提高存儲(chǔ)速度百倍

發(fā)布:cyqdesign 2020-07-02 22:03 閱讀:5158
近日,據(jù)英國(guó)《自然·物理學(xué)》雜志發(fā)表的一項(xiàng)研究,一個(gè)美國(guó)聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)利用層狀二碲化鎢制成了二維(2D)金屬芯片,其厚度僅三個(gè)原子!在更節(jié)能的同時(shí),儲(chǔ)存速度提高了100倍之多,為開(kāi)發(fā)下一代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)材料奠定了基礎(chǔ)。 ! (H RP9  
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當(dāng)今世界所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)比以往任何時(shí)候都多,然而我們當(dāng)前的存儲(chǔ)系統(tǒng)已接近大小和密度的極限,因此迫切需要相關(guān)技術(shù)革命?茖W(xué)家正在研究數(shù)據(jù)的其他保存形式,包括存儲(chǔ)在激光蝕刻的載玻片、冰冷分子、單個(gè)氫原子、全息膠片甚至DNA上。 I+GP`=\  
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在這次的新研究中,美國(guó)斯坦福大學(xué)、加州大學(xué)伯克利分校和德克薩斯A&M大學(xué)的研究人員嘗試了另一種方法,他們研發(fā)的新系統(tǒng)由二碲化鎢金屬組成,排列成一堆超薄層,每層僅有3個(gè)原子厚。其可代替硅芯片存儲(chǔ)數(shù)據(jù),且比硅芯片更密集、更小、更快,也更節(jié)能。 5K#<VU*:  
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研究人員將數(shù)據(jù)編碼到二維材料
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研究人員對(duì)二碲化鎢薄層結(jié)構(gòu)施加微小電流,使其奇數(shù)層相對(duì)于偶數(shù)層發(fā)生穩(wěn)定的偏移,并利用奇偶層的排列來(lái)存儲(chǔ)二進(jìn)制數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)寫(xiě)入后,他們?cè)偻ㄟ^(guò)一種稱為貝利曲率的量子特性,在不干擾排列的情況下讀取數(shù)據(jù)。 K^m`3N"  
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團(tuán)隊(duì)表示,與現(xiàn)有的基于硅的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)相比,新系統(tǒng)具有巨大優(yōu)勢(shì)——它可以將更多的數(shù)據(jù)填充到極小的物理空間中,并且非常節(jié)能。此外,其偏移發(fā)生得如此之快,以至于數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度可以比現(xiàn)有技術(shù)快100倍。 *L{^em#b  
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目前,團(tuán)隊(duì)已為該設(shè)計(jì)申請(qǐng)了專利。他們還在研究下一步改進(jìn)的方法,例如尋找除二碲化鎢之外的其他2D材料。研究人員表示,對(duì)超薄層進(jìn)行非常小的調(diào)整,就會(huì)對(duì)它的功能特性產(chǎn)生很大的影響,而人們可以利用這一知識(shí)來(lái)設(shè)計(jì)新型節(jié)能設(shè)備,以實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展和更智慧的未來(lái)存儲(chǔ)方式。 uY;7&Lw y1  
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